Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

HUFA76407P3

  • hufa76407p3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA76409D3

  • hufa76409d3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 18A IPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 485pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA76407D3ST

  • hufa76407d3st
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA76409P3

  • hufa76409p3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 18A TO-220AB Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 485pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA76407D3

  • hufa76407d3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 12A IPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA75852G3

  • hufa75852g3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 75A TO-247 Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 480nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7690pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA75842S3ST

  • hufa75842s3st
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 43A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 175nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2730pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA75842P3

  • hufa75842p3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 43A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 175nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2730p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA75652G3

  • hufa75652g3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 475nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7585pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA75823D3S

  • hufa75823d3s
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 14A IPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA75842S3S

  • hufa75842s3s
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 43A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 175nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2730pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA75829D3ST

  • hufa75829d3st
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 18A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA75829D3S

  • hufa75829d3s
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 18A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA75823D3ST

  • hufa75823d3st
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 14A IPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA75645S3S

  • hufa75645s3s
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 238nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3790pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA75645P3

  • hufa75645p3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 238nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3790p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA75639P3

  • hufa75639p3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 56A TO-220AB Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA75639S3S

  • hufa75639s3s
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA75637S3ST

  • hufa75637s3st
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 108nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HUFA75639S3ST

  • hufa75639s3st
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь