Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Всего товаров: 539
MMBF4392LT1
- mmbf4392lt1
- ON Semiconductor
- JFET SS N-CHAN 30V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 15V · Сопротивление - RDS (O
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF4093
- mmbf4093
- Fairchild Semiconductor
- JFET SWITCH N-CHAN SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1nA · Емкость @ Vds: 16pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 80 Ohm · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF4118
- mmbf4118
- Fairchild Semiconductor
- JFET SWITCH N-CHAN SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1nA · Емкость @ Vds: 3pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF4391LT1G
- mmbf4391lt1g
- ON Semiconductor
- TRANS JFET SW N-CH 30V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 10nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 15V · Сопротивление - RD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF4391LT1
- mmbf4391lt1
- ON Semiconductor
- JFET SS N-CHAN 30V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 10nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 15V · Сопротивление - RDS (O
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF4391
- mmbf4391
- Fairchild Semiconductor
- JFET SWITCH N-CHAN SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF4119
- mmbf4119
- Fairchild Semiconductor
- JFET SWITCH N-CHAN SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA · Емкость @ Vds: 3pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF4117
- mmbf4117
- Fairchild Semiconductor
- JFET SWITCH N-CHAN SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1nA · Емкость @ Vds: 3pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF4092
- mmbf4092
- Fairchild Semiconductor
- JFET SWITCH N-CHAN SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA · Емкость @ Vds: 16pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF4091
- mmbf4091
- Fairchild Semiconductor
- JFET SWITCH N-CHAN SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1nA · Емкость @ Vds: 16pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBFJ305
- mmbfj305
- Fairchild Semiconductor
- IC SWITCH RF SOT-23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 8mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF4393LT3G
- mmbf4393lt3g
- ON Semiconductor
- TRANS JFET SW N-CHAN 30V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 15V · Сопротивление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
KSK596PAWD
- ksk596pawd
- Fairchild Semiconductor
- JFET N-CH 20V 10MA TO-92S Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Short Bo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
KSK596PBWD
- ksk596pbwd
- Fairchild Semiconductor
- JFET N-CH 20V 10MA TO-92S Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Short Bo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
KSK596PCWD
- ksk596pcwd
- Fairchild Semiconductor
- JFET N-CH 20V 10MA TO-92S Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Short Bo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
KSK595HMTF
- ksk595hmtf
- Fairchild Semiconductor
- JFET N-CH 20V 10MA SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
KSK596CBU
- ksk596cbu
- Fairchild Semiconductor
- JFET N-CH 20V 10MA TO-92S Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Short Bo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
KSK596BBU
- ksk596bbu
- Fairchild Semiconductor
- JFET N-CH 20V 10MA TO-92S Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Short Bo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
KSK596ABU
- ksk596abu
- Fairchild Semiconductor
- JFET N-CH 20V 10MA TO-92S Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Short Bo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
KSK596BU
- ksk596bu
- Fairchild Semiconductor
- JFET N-CH 20V 10MA TO-92S Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Short Bo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом (JFET) представляют собой полупроводниковые устройства, которые используют PN-переход для управления током через канал. JFET транзисторы известны своей простотой и эффективностью, обеспечивая высокую скорость переключения и низкие уровни шума. Они широко используются в различных электронных устройствах для усиления и переключения сигналов.
Применение
JFET транзисторы находят применение в самых различных областях электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в схемах усиления для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Источники питания: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Измерительные приборы: используются в схемах с высоким входным сопротивлением для минимизации воздействия на измеряемый сигнал.
- Автомобильная электроника: применяются в различных системах управления и контроля.
Совместимость
JFET транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, JFET транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Технологические компоненты, подобные JFET-транзисторам, играют важную роль в создании и совершенствовании различных систем. Они обеспечивают стабильность и точность управления различными процессами в самых разнообразных устройствах. Эти транзисторы характеризуются высокой скоростью переключения, низким уровнем шума и высокой степенью надежности, что позволяет им эффективно функционировать в сложных условиях эксплуатации.
Благодаря своим уникальным свойствам, такие элементы помогают значительно улучшить производительность и надежность многих устройств, становясь незаменимыми в современных технологиях. Их использование способствует оптимизации энергопотребления и повышению общей эффективности систем, в которых они задействованы.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК