Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
JANTX2N7335
- jantx2n7335
- IRF [International Rectifier]
- POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4804CDY-T1-GE3
- si4804cdy.t1.ge3
- VISHAY [Vishay Siliconix]
- Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFD4901NFT1G
- ntmfd4901nft1g
- ONSEMI [ON Semiconductor]
- 30 V, High Side 18 A / Low Side 30 A, Dual NâChannel SO8FL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS8DN3LLH5
- sts8dn3llh5
- STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
- Dual N-channel 30 V, 0.0155 Ω, 10 A, SO-8 STripFET⢠V Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3552DV-T1-GE3
- si3552dv.t1.ge3
- VISHAY [Vishay Siliconix]
- N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDME1024NZT
- fdme1024nzt
- FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
- Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 3.8 A, 66 m
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMD4N03R2G
- nvmd4n03r2g
- ONSEMI [ON Semiconductor]
- Power MOSFET 4 A, 30 V, NâChannel SOâ8 Dual
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQ9945BEY-T1-GE3
- sq9945bey.t1.ge3
- VISHAY [Vishay Siliconix]
- Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EFC6602R-TR
- efc6602r.tr
- ONSEMI [ON Semiconductor]
- N-Channel Power MOSFET 12V, 18A, 5.9mΩ, Dual EFCP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2990UDJ-7
- dmn2990udj.7
- DIODES [Diodes Incorporated]
- DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMDXB950UPE
- pmdxb950upe
- NXP [NXP Semiconductors]
- 20 V, dual P-channel Trench MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMDXB600UNE
- pmdxb600une
- NXP [NXP Semiconductors]
- 20 V, dual N-channel Trench MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMCXB900UE
- pmcxb900ue
- NXP [NXP Semiconductors]
- 20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1902CDL-T1-GE3
- si1902cdl.t1.ge3
- VISHAY [Vishay Siliconix]
- Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ALD212900PAL
- ald212900pal
- ALD [Advanced Linear Devices]
- DUAL HIGH DRIVE ZERO THRESHOLD MATCHED PAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ALD212900APAL
- ald212900apal
- ALD [Advanced Linear Devices]
- DUAL HIGH DRIVE ZERO THRESHOLD MATCHED PAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ALD212900SAL
- ald212900sal
- ALD [Advanced Linear Devices]
- DUAL HIGH DRIVE ZERO THRESHOLD MATCHED PAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ALD212900ASAL
- ald212900asal
- ALD [Advanced Linear Devices]
- DUAL HIGH DRIVE ZERO THRESHOLD MATCHED PAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS3602S
- fdms3602s
- FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
- 25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET Features
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FG6943010R
- fg6943010r
- PANASONIC [Panasonic Semiconductor]
- Silicon N-channel MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК