Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
SI3900DV-T1-GE3
- si3900dv.t1.ge3
- VISHAY [Vishay Siliconix]
- Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3932DV-T1-GE3
- si3932dv.t1.ge3
- VISHAY [Vishay Siliconix]
- Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3850ADV-T1-GE3
- si3850adv.t1.ge3
- VISHAY [Vishay Siliconix]
- Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3590DV-T1-GE3
- si3590dv.t1.ge3
- VISHAY [Vishay Siliconix]
- N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3588DV-T1-GE3
- si3588dv.t1.ge3
- VISHAY [Vishay Siliconix]
- N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3586DV-T1-GE3
- si3586dv.t1.ge3
- VISHAY [Vishay Siliconix]
- N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3585CDV-T1-GE3
- si3585cdv.t1.ge3
- VISHAY [Vishay Siliconix]
- N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFHS9351TRPBF
- irfhs9351trpbf
- IRF [International Rectifier]
- HEXFET Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC4040SSD-13
- dmc4040ssd.13
- DIODES [Diodes Incorporated]
- 40V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CSD87352Q5D
- csd87352q5d
- TI1 [Texas Instruments]
- Synchronous Buck NexFET Power Block
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMP76-010T
- fmp76.010t
- IXYS [IXYS Corporation]
- Trench P & N-Channel Power MOSFET Common Drain Topology
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMP36-015P
- fmp36.015p
- IXYS [IXYS Corporation]
- Polar P & N-Channel Power MOSFETs Common Drain Topology
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMP26-02P
- fmp26.02p
- IXYS [IXYS Corporation]
- Polar P & N-Channel Power MOSFET Common Drain Topology
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMM110-015X2F
- fmm110.015x2f
- IXYS [IXYS Corporation]
- TrenchT2 HiperFET N-Channel Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMM60-02TF
- fmm60.02tf
- IXYS [IXYS Corporation]
- Trench Gate HiperFET N-Channel Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMM50-025TF
- fmm50.025tf
- IXYS [IXYS Corporation]
- Trench Gate HiperFET N-Channel Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3AMCTA
- zxmn3amcta
- DIODES [Diodes Incorporated]
- 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN2AMCTA
- zxmn2amcta
- DIODES [Diodes Incorporated]
- 20V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG9933USD-13
- dmg9933usd.13
- DIODES [Diodes Incorporated]
- DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG1024UV-7
- dmg1024uv.7
- DIODES [Diodes Incorporated]
- DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК