Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Всего товаров: 56
RN2905FE,LXHF(CT
- rn2905fe.lxhf.ct
- Toshiba Semiconductor and Storage
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DDA114EUQ-7-F
- dda114euq.7.f
- Diodes Incorporated
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NSVBC143ZPDXV6T5G
- nsvbc143zpdxv6t5g
- onsemi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ADC144EUQ-7
- adc144euq.7
- Diodes Incorporated
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DDA124EUQ-7-F
- dda124euq.7.f
- Diodes Incorporated
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DDA124EUQ-13-F
- dda124euq.13.f
- Diodes Incorporated
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ACX114YUQ-7R
- acx114yuq.7r
- Diodes Incorporated
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1UMD22NFHATR
- umd22nfhatr
- Rohm Semiconductor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NSVMUN5235DW1T1G
- nsvmun5235dw1t1g
- onsemi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PUMH10Z
- pumh10z
- Nexperia USA Inc.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RN4990FE,LF(CT
- rn4990fe.lf.ct
- Toshiba Semiconductor and Storage, Toshiba
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RN4981FE,LF(CT
- rn4981fe.lf.ct
- Toshiba Semiconductor and Storage, Toshiba
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ADC114EUQ-7
- adc114euq.7
- Diodes Incorporated
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1UMH11NFHATN
- umh11nfhatn
- Rohm Semiconductor, ROHM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1UMH4NFHATN
- umh4nfhatn
- Rohm Semiconductor, ROHM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NSVIMD10AMT1G
- nsvimd10amt1g
- onsemi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DCX123JUQ-7-F
- dcx123juq.7.f
- Diodes Incorporated
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RN2905FE,LF(CT
- rn2905fe.lf.ct
- Toshiba Semiconductor and Storage, Toshiba
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RN2907FE,LF(CT
- rn2907fe.lf.ct
- Toshiba Semiconductor and Storage, Toshiba
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RN4986FE,LF(CT
- rn4986fe.lf.ct
- Toshiba Semiconductor and Storage, Toshiba
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Массивы биполярных транзисторов (BJT) с резисторами объединяют в одном корпусе несколько BJT транзисторов и один или несколько резисторов. Эти компоненты обычно используются для упрощения схемотехники, уменьшения занимаемого пространства на печатной плате и повышения надежности устройства. Резисторы могут быть подключены к базе, коллектору или эмиттеру транзисторов и служить для установки рабочей точки, стабилизации работы или ограничения тока.
Ключевые характеристики включают:
- максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce). Максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером;
- максимальный ток коллектора (Ic). Максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора;
- коэффициент усиления по току (hFE или β). Показывает, во сколько раз ток коллектора больше тока базы;
- значения резисторов. Номиналы встроенных резисторов, которые влияют на рабочие характеристики транзисторов.
Применение массивов BJT с резисторами
Массивы BJT (биполярных переходных транзисторов) с резисторами представляют собой интегрированные решения, объединяющие транзисторы и резисторы в одном пакете, что обеспечивает удобство в дизайне и экономию пространства на печатной плате. В цифровых схемах эти массивы используются в качестве интерфейсов и переключателей, позволяя управлять логическими уровнями и обеспечивая необходимую согласованность сигналов между различными частями системы.
В усилительных каскадах массивы BJT с резисторами применяются для установки точки смещения и улучшения линейности усиления, что критически важно для достижения высокого качества аналогового сигнала и минимизации искажений.
В схемах управления такие массивы служат драйверами, обеспечивая эффективное управление нагрузками или другими устройствами, что позволяет оптимизировать работу системы и обеспечивать необходимую функциональность. В защитных схемах встроенные резисторы ограничивают ток, защищая транзисторы от возможных перегрузок и повреждений, что повышает надежность и долговечность электронных устройств и систем.
Интеграция и использование
При интеграции массивов BJT с резисторами в электронные схемы важно учитывать их электрические параметры и рассчитывать внешние цепи таким образом, чтобы обеспечить желаемые рабочие характеристики. Необходимо также обеспечить адекватный теплоотвод и защиту от электростатических разрядов.
Использование таких массивов позволяет сократить количество компонентов на плате, упростить монтаж и повысить надежность устройства, обеспечивая при этом требуемую функциональность и эффективность в различных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК