Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Всего товаров: 56

RN2905FE,LXHF(CT

  • rn2905fe.lxhf.ct
  • Toshiba Semiconductor and Storage

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDA114EUQ-7-F

  • dda114euq.7.f
  • Diodes Incorporated

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSVBC143ZPDXV6T5G

  • nsvbc143zpdxv6t5g
  • onsemi

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ADC144EUQ-7

  • adc144euq.7
  • Diodes Incorporated

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDA124EUQ-7-F

  • dda124euq.7.f
  • Diodes Incorporated

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDA124EUQ-13-F

  • dda124euq.13.f
  • Diodes Incorporated

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ACX114YUQ-7R

  • acx114yuq.7r
  • Diodes Incorporated

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMD22NFHATR

  • umd22nfhatr
  • Rohm Semiconductor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSVMUN5235DW1T1G

  • nsvmun5235dw1t1g
  • onsemi

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PUMH10Z

  • pumh10z
  • Nexperia USA Inc.

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN4990FE,LF(CT

  • rn4990fe.lf.ct
  • Toshiba Semiconductor and Storage, Toshiba

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN4981FE,LF(CT

  • rn4981fe.lf.ct
  • Toshiba Semiconductor and Storage, Toshiba

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ADC114EUQ-7

  • adc114euq.7
  • Diodes Incorporated

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMH11NFHATN

  • umh11nfhatn
  • Rohm Semiconductor, ROHM

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMH4NFHATN

  • umh4nfhatn
  • Rohm Semiconductor, ROHM

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSVIMD10AMT1G

  • nsvimd10amt1g
  • onsemi

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DCX123JUQ-7-F

  • dcx123juq.7.f
  • Diodes Incorporated

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN2905FE,LF(CT

  • rn2905fe.lf.ct
  • Toshiba Semiconductor and Storage, Toshiba

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN2907FE,LF(CT

  • rn2907fe.lf.ct
  • Toshiba Semiconductor and Storage, Toshiba

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN4986FE,LF(CT

  • rn4986fe.lf.ct
  • Toshiba Semiconductor and Storage, Toshiba

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Массивы биполярных транзисторов (BJT) с резисторами объединяют в одном корпусе несколько BJT транзисторов и один или несколько резисторов. Эти компоненты обычно используются для упрощения схемотехники, уменьшения занимаемого пространства на печатной плате и повышения надежности устройства. Резисторы могут быть подключены к базе, коллектору или эмиттеру транзисторов и служить для установки рабочей точки, стабилизации работы или ограничения тока.

Ключевые характеристики включают:

  • максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce). Максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером;
  • максимальный ток коллектора (Ic). Максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора;
  • коэффициент усиления по току (hFE или β). Показывает, во сколько раз ток коллектора больше тока базы;
  • значения резисторов. Номиналы встроенных резисторов, которые влияют на рабочие характеристики транзисторов.

Применение массивов BJT с резисторами

Массивы BJT (биполярных переходных транзисторов) с резисторами представляют собой интегрированные решения, объединяющие транзисторы и резисторы в одном пакете, что обеспечивает удобство в дизайне и экономию пространства на печатной плате. В цифровых схемах эти массивы используются в качестве интерфейсов и переключателей, позволяя управлять логическими уровнями и обеспечивая необходимую согласованность сигналов между различными частями системы.

В усилительных каскадах массивы BJT с резисторами применяются для установки точки смещения и улучшения линейности усиления, что критически важно для достижения высокого качества аналогового сигнала и минимизации искажений.

В схемах управления такие массивы служат драйверами, обеспечивая эффективное управление нагрузками или другими устройствами, что позволяет оптимизировать работу системы и обеспечивать необходимую функциональность. В защитных схемах встроенные резисторы ограничивают ток, защищая транзисторы от возможных перегрузок и повреждений, что повышает надежность и долговечность электронных устройств и систем.

Интеграция и использование

При интеграции массивов BJT с резисторами в электронные схемы важно учитывать их электрические параметры и рассчитывать внешние цепи таким образом, чтобы обеспечить желаемые рабочие характеристики. Необходимо также обеспечить адекватный теплоотвод и защиту от электростатических разрядов.

Использование таких массивов позволяет сократить количество компонентов на плате, упростить монтаж и повысить надежность устройства, обеспечивая при этом требуемую функциональность и эффективность в различных приложениях.

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь