Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Всего товаров: 103

DDTC114ECAQ-13-F

  • ddtc114ecaq.13.f
  • Diodes Incorporated

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1107,LXHF(CT

  • rn1107.lxhf.ct
  • Toshiba Semiconductor and Storage

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DTC144EEBMGTL

  • dtc144eebmgtl
  • Rohm Semiconductor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN2112,LF(CT

  • rn2112.lf.ct
  • Toshiba Semiconductor and Storage, Toshiba

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ADTA143XUAQ-13

  • adta143xuaq.13
  • Diodes Incorporated

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ADTA124ECAQ-13

  • adta124ecaq.13
  • Diodes Incorporated

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ADTA114ECAQ-13

  • adta114ecaq.13
  • Diodes Incorporated

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1101,LXHF(CT

  • rn1101.lxhf.ct
  • Toshiba Semiconductor and Storage

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1302,LXHF

  • rn1302.lxhf
  • Toshiba Semiconductor and Storage

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DTA115EUBTL

  • dta115eubtl
  • Rohm Semiconductor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN2102,LXHF(CT

  • rn2102.lxhf.ct
  • Toshiba Semiconductor and Storage

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ADTA114ECAQ-7

  • adta114ecaq.7
  • Diodes Incorporated

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1101MFV,L3XHF(CT

  • rn1101mfv.l3xhf.ct
  • Toshiba Semiconductor and Storage

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTC144EUAQ-13-F

  • ddtc144euaq.13.f
  • Diodes Incorporated

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DTC113ZCAT116

  • dtc113zcat116
  • Rohm Semiconductor, ROHM

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1101MFV,L3F(CT

  • rn1101mfv.l3f.ct
  • Toshiba Semiconductor and Storage

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTC144EUAQ-7-F

  • ddtc144euaq.7.f
  • Diodes Incorporated

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTC114EUAQ-7-F

  • ddtc114euaq.7.f
  • Diodes Incorporated

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1405,LXHF

  • rn1405.lxhf
  • Toshiba Semiconductor and Storage

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTC123ETVL

  • pdtc123etvl
  • Nexperia USA Inc.

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Одиночные биполярные транзисторы (BJT) с интегрированными резисторами представляют собой устройства, которые включают в себя не только сам транзистор, но и один или несколько резисторов в одном корпусе. Эти резисторы могут быть подключены к базе, эмиттеру или коллектору для обеспечения удобства смещения, установления рабочих точек или улучшения устойчивости работы транзистора.

Ключевые характеристики включают:

  • коллектор-эмиттерное напряжение (Vceo). Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером;
  • ток коллектора (Ic): Максимальный ток, который может протекать через коллектор;
  • коэффициент усиления по току (hFE или β). Соотношение между током коллектора и током базы;
  • сопротивление резисторов. Значения резисторов, включенных в корпус с транзистором.

Применение одиночных BJT с резисторами

Транзисторы могут значительно упрощать схемы и сокращать количество необходимых внешних компонентов благодаря своей функциональности и гибкости. В цифровых схемах они используются как переключатели, управляющие логическими уровнями, что позволяет строить эффективные логические вентили и схемы управления. В усилительных каскадах, как в аудио, так и в RF усилителях, транзисторы обеспечивают стабильное смещение, что критически важно для обеспечения линейности усиления и минимизации искажений.

В защитных схемах транзисторы используются для ограничения тока и защиты устройств от перегрузок, предотвращая повреждение ценных компонентов и увеличивая надежность и долговечность устройств. В интерфейсных цепях транзисторы позволяют подключать различные электронные устройства и системы, обеспечивая необходимые уровни смещения и импеданса для корректной работы системы, что улучшает совместимость и функциональность разнообразных электронных компонентов.

Интеграция и использование

При использовании BJT с интегрированными резисторами важно учитывать их характеристики и правильно подключать в схеме, обеспечивая необходимые уровни смещения и работу в нужной рабочей точке. Необходимо также учитывать рассеиваемую мощность и тепловой режим, чтобы избежать перегрева и повреждения транзистора. Использование таких транзисторов позволяет уменьшить размер печатной платы и количество компонентов, упрощая сборку и повышая надежность электронных устройств.

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь