Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Всего товаров: 103
NSVDTC123JM3T5G
- nsvdtc123jm3t5g
- onsemi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DTA143XEBMGTL
- dta143xebmgtl
- Rohm Semiconductor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RN1304,LF
- rn1304.lf
- Toshiba Semiconductor and Storage, Toshiba
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RN1304,LXHF
- rn1304.lxhf
- Toshiba Semiconductor and Storage
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ADTA114EUAQ-7
- adta114euaq.7
- Diodes Incorporated
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ADTA114EUAQ-13
- adta114euaq.13
- Diodes Inc (DII)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RN2404,LF
- rn2404.lf
- Toshiba
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RN2116,LF(CT
- rn2116.lf.ct
- Toshiba Semiconductor and Storage, Toshiba
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DTC114EEBMGTL
- dtc114eebmgtl
- Rohm Semiconductor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RN1104,LXHF(CT
- rn1104.lxhf.ct
- Toshiba Semiconductor and Storage
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DTD143ECHZGT116
- dtd143echzgt116
- Rohm Semiconductor, ROHM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PDTC143XUF
- pdtc143xuf
- Nexperia USA Inc.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DTA114EEBMGTL
- dta114eebmgtl
- Rohm Semiconductor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DTD123YCT116
- dtd123yct116
- Rohm Semiconductor, ROHM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DTA124EU3T106
- dta124eu3t106
- Rohm Semiconductor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RN1408,LF
- rn1408.lf
- Toshiba Semiconductor and Storage, Toshiba
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DTA113ZU3T106
- dta113zu3t106
- Rohm Semiconductor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RN2111,LF(CT
- rn2111.lf.ct
- Toshiba Semiconductor and Storage, Toshiba
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RN1106MFV,L3F(CT
- rn1106mfv.l3f.ct
- Toshiba Semiconductor and Storage
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DTC114YU3T106
- dtc114yu3t106
- Rohm Semiconductor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные биполярные транзисторы (BJT) с интегрированными резисторами представляют собой устройства, которые включают в себя не только сам транзистор, но и один или несколько резисторов в одном корпусе. Эти резисторы могут быть подключены к базе, эмиттеру или коллектору для обеспечения удобства смещения, установления рабочих точек или улучшения устойчивости работы транзистора.
Ключевые характеристики включают:
- коллектор-эмиттерное напряжение (Vceo). Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером;
- ток коллектора (Ic): Максимальный ток, который может протекать через коллектор;
- коэффициент усиления по току (hFE или β). Соотношение между током коллектора и током базы;
- сопротивление резисторов. Значения резисторов, включенных в корпус с транзистором.
Применение одиночных BJT с резисторами
Транзисторы могут значительно упрощать схемы и сокращать количество необходимых внешних компонентов благодаря своей функциональности и гибкости. В цифровых схемах они используются как переключатели, управляющие логическими уровнями, что позволяет строить эффективные логические вентили и схемы управления. В усилительных каскадах, как в аудио, так и в RF усилителях, транзисторы обеспечивают стабильное смещение, что критически важно для обеспечения линейности усиления и минимизации искажений.
В защитных схемах транзисторы используются для ограничения тока и защиты устройств от перегрузок, предотвращая повреждение ценных компонентов и увеличивая надежность и долговечность устройств. В интерфейсных цепях транзисторы позволяют подключать различные электронные устройства и системы, обеспечивая необходимые уровни смещения и импеданса для корректной работы системы, что улучшает совместимость и функциональность разнообразных электронных компонентов.
Интеграция и использование
При использовании BJT с интегрированными резисторами важно учитывать их характеристики и правильно подключать в схеме, обеспечивая необходимые уровни смещения и работу в нужной рабочей точке. Необходимо также учитывать рассеиваемую мощность и тепловой режим, чтобы избежать перегрева и повреждения транзистора. Использование таких транзисторов позволяет уменьшить размер печатной платы и количество компонентов, упрощая сборку и повышая надежность электронных устройств.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК