Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Всего товаров: 379
AOD661
- aod661
- Alpha & Omega Semiconductor Inc., Alpha & Omega Semiconductor
- Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 12A TO252-4L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC3730UVT-7
- dmc3730uvt.7
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSCSM170DUM23T3AG
- mscsm170dum23t3ag
- Microchip Technology
- Транзистор: PM-MOSFET-SIC-SP3F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDBL86210
- fdbl86210
- Fairchild Semiconductor
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN63D1LV-7
- dmn63d1lv.7
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EFC4C002NLTDG
- efc4c002nltdg
- onsemi
- Транзистор: MOSFET 2N-CH 8WLCSP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTTFD022N10C
- nttfd022n10c
- onsemi
- Транзистор: 100V DUAL N-CH MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC3061SVTQ-7
- dmc3061svtq.7
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN63D1LV-13
- dmn63d1lv.13
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSCSM170DUM11T3AG
- mscsm170dum11t3ag
- Microchip Technology
- Транзистор: PM-MOSFET-SIC-SP3F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UT6KC5TCR
- ut6kc5tcr
- Rohm Semiconductor
- Транзистор: 60V 3.5A, DUAL NCH+NCH, DFN2020-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMD8630
- fdmd8630
- onsemi
- MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJT138K-AU_R1_000A1
- pjt138k.au.r1.000a1
- PanJit Semiconductor
- Транзистор: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSCSM170TAM15CTPAG
- mscsm170tam15ctpag
- Microchip Technology
- Транзистор: PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSCSM170AM11CT3AG
- mscsm170am11ct3ag
- Microchip Technology
- Транзистор: PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMDT290UCEH
- pmdt290uceh
- Nexperia USA Inc.
- Транзистор: PMDT290UCE/SOT666/SOT6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSCSM170AM23CT1AG
- mscsm170am23ct1ag
- Microchip Technology
- Транзистор: PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTTFD9D0N06HLTWG
- nttfd9d0n06hltwg
- onsemi
- Транзистор: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC2710UDWQ-13
- dmc2710udwq.13
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3016LDV-13
- dmn3016ldv.13
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Массивы полевых транзисторов (FETs) и металл-оксидных полевых транзисторов (MOSFETs) представляют собой интегрированные схемы, содержащие несколько FET или MOSFET транзисторов в одном корпусе. Эти массивы обеспечивают улучшенное управление мощностью и сигналом в различных приложениях, позволяя одновременное управление несколькими каналами.
Ключевые характеристики массивов FETs и MOSFETs включают:
- максимальное напряжение сток-исток (Vds). Максимальное напряжение, которое может быть приложено между стоком и истоком транзисторов;
- максимальный ток стока (Id). Максимальный ток, который может протекать через сток каждого транзистора в массиве;
- пороговое напряжение (Vgs(th)). Напряжение на затворе, при котором транзистор начинает проводить;
- сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)). Сопротивление между стоком и истоком при полностью открытом транзисторе.
Применение массивов FETs и MOSFETs
Массивы FET (полевых транзисторов) и MOSFET (металл-оксид-полупроводниковых полевых транзисторов) обеспечивают эффективное управление и переключение в разнообразных электронных системах. В области управления мощностью эти компоненты используются для контроля мощных нагрузок, что важно в системах питания и управления освещением, где они позволяют регулировать и распределять мощность эффективно и надежно.
В цифровой логике массивы FETs и MOSFETs служат переключателями, обеспечивая основу для работы логических схем и интерфейсов, позволяя строить сложные логические структуры и обеспечивая высокую скорость и надежность работы цифровых устройств. Для управления моторами и реле эти транзисторы предоставляют возможность управления несколькими устройствами одновременно, что критически важно в различных устройствах и промышленных системах, где требуется точное и надежное управление механическими компонентами.
Интеграция и использование
При интеграции массивов FETs и MOSFETs в электронные устройства важно учитывать их рабочие характеристики и требования к управлению. Необходимо обеспечить соответствующее управляющее напряжение и ток для надежного включения и выключения транзисторов в массиве. Также следует учитывать тепловое управление, особенно в приложениях с высокой мощностью, для предотвращения перегрева и повышения надежности и долговечности устройства.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК