Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7

  • Производитель:

    onsemi
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tape & Reel (TR)
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 268A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.65mOhm @ 100A, 15V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 163 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11600 pF @ 50 V
Рассеивание мощности (Макс) 250W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа Surface Mount
Исполнение корпуса D2PAK (TO-263)
Корпус TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Base Product Number FDB1D7

Техническая документация

Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь