Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Картинка товара по умолчанию

GCMX080B120S1-E1

  • Производитель:

    SemiQ
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tube
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 20 V
Vgs (Max) +25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1336 pF @ 1000 V
Рассеивание мощности (Макс) 142W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа Chassis Mount
Исполнение корпуса SOT-227
Корпус SOT-227-4, miniBLOC

Техническая документация

Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь