Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
FCB099N65S3
- fcb099n65s3
- onsemi
- MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCU28P10Y-TP
- mcu28p10y.tp
- Micro Commercial Co
- P-CHANNEL MOSFET,DPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQM50N04-4M1_GE3
- sqm50n04.4m1.ge3
- Vishay Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 50A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVBG045N065SC1
- nvbg045n065sc1
- onsemi
- SIC MOS D2PAK-7L 650V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA230N04T4
- ixta230n04t4
- IXYS
- MOSFET N-CH 40V 230A TO263AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SN7002NH6327XTSA1
- sn7002nh6327xtsa1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3139KEA-TP
- si3139kea.tp
- Micro Commercial Co
- P-CHANNEL MOSFET,SOT-523
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISC030N10NM6ATMA1
- isc030n10nm6atma1
- Infineon Technologies
- TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB65R190CFDATMA1
- ipb65r190cfdatma1
- INFINEON, Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR512DP-T1-RE3
- sir512dp.t1.re3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FBG20N18BC
- fbg20n18bc
- EPC Space, LLC
- GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMTS0D7N06CTXG
- ntmts0d7n06ctxg
- onsemi
- MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GT025N06D5
- gt025n06d5
- Goford Semiconductor
- N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP9N80K5
- stp9n80k5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS5C442NLWFAFT3G
- nvmfs5c442nlwfaft3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G10P03
- g10p03
- Goford Semiconductor
- P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3424CDV-T1-BE3
- si3424cdv.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PXP020-20QXJ
- pxp020.20qxj
- Nexperia USA Inc.
- PXP020-20QX/SOT8002/MLPAK33
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AUIRF1010ZSTRL
- auirf1010zstrl
- Infineon Technologies, IRF [International Rectifier]
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIDR510EP-T1-RE3
- sidr510ep.t1.re3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК