Транзисторы - IGBT - модули
Всего товаров: 73
DF650R17IE4BOSA1
- df650r17ie4bosa1
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1VS-GT400TD60S
- vs.gt400td60s
- Vishay
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FP15R12KE3GBPSA1
- fp15r12ke3gbpsa1
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FS200R12KT4RPB51BPSA1
- fs200r12kt4rpb51bpsa1
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1F3L400R07W3S5B59BPSA1
- f3l400r07w3s5b59bpsa1
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1VS-GT90SA120U
- vs.gt90sa120u
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FF900R12IP4DVBOSA1
- ff900r12ip4dvbosa1
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FF900R12IP4VBOSA1
- ff900r12ip4vbosa1
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FP50R12KT4BPSA1
- fp50r12kt4bpsa1
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BSM50GX120DN2BPSA1
- bsm50gx120dn2bpsa1
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FP50R12W2T7BPSA1
- fp50r12w2t7bpsa1
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IFS200B12N3E4B37BPSA1
- ifs200b12n3e4b37bpsa1
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FS950R08A6P2LBBPSA1
- fs950r08a6p2lbbpsa1
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FF450R12ME4B11BPSA2
- ff450r12me4b11bpsa2
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FF450R12ME7B11BPSA1
- ff450r12me7b11bpsa1
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NXH50M65L4C2ESG
- nxh50m65l4c2esg
- onsemi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FP40R12KE3BPSA1
- fp40r12ke3bpsa1
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FF300R12ME4B11BPSA2
- ff300r12me4b11bpsa2
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1VS-GT250SA60S
- vs.gt250sa60s
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FF2MR12KM1HP
- ff2mr12km1hp
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) представляют собой интегрированные устройства, которые объединяют несколько IGBT транзисторов в одном корпусе для упрощения процесса проектирования и улучшения производительности. Они сочетают в себе высокую эффективность и скорость переключения полевых транзисторов с высокой напряженностью и большим током биполярных транзисторов, делая их идеальными для управления мощными электрическими нагрузками.
Ключевые характеристики модулей IGBT включают:
- максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce). Максимальное напряжение, при котором модуль может безопасно работать;
- максимальный ток коллектора (Ic). Максимальный ток, который может протекать через модуль;
- температурный диапазон. Определяет диапазон рабочих температур, в котором модуль может функционировать без снижения характеристик;
- время включения/выключения (tr/tf). Время, необходимое для переключения модуля из одного состояния в другое;
- тепловое сопротивление. Способность модуля отводить выделяемое тепло.
Применение модулей IGBT
Модули IGBT широко используются в различных областях, где требуется управление большой мощностью:
- преобразователи и инверторы. В преобразователях частоты для управления скоростью двигателей и в солнечных инверторах;
- электротранспорт. В системах управления двигателями электрических и гибридных автомобилей;
- системы бесперебойного питания (UPS). Для управления мощностью и обеспечения надежного электропитания;
- высоковольтные приложения. В подстанциях и системах передачи электроэнергии.
Интеграция и использование
При интеграции модулей IGBT в системы управления мощностью важно учитывать их электрические и тепловые характеристики, чтобы обеспечить надежную и эффективную работу. Необходимо обеспечить адекватный теплоотвод, используя радиаторы или другие средства охлаждения, и следить за тем, чтобы рабочие параметры оставались в пределах допустимых значений.
Также важно учитывать совместимость с другими компонентами системы, включая драйверы управления, защитную логику и системы мониторинга. Использование модулей IGBT позволяет разработчикам создавать мощные и эффективные системы управления для широкого спектра промышленных и коммерческих приложений, обеспечивая высокую производительность и надежность.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК