Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
2SC5501A-4-TR-E
- 2sc5501a.4.tr.e
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы - BJT MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5488A-TL-H
- 2sc5488a.tl.h
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы - BJT MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5415AE-TD-E
- 2sc5415ae.td.e
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы - BJT ULAHIGH-FREQUENCY TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5231A-8-TL-E
- 2sc5231a.8.tl.e
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы - BJT HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5227A-5-TB-E
- 2sc5227a.5.tb.e
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы - BJT LOW-NOISE AMPLIFIER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5227A-4-TB-E
- 2sc5227a.4.tb.e
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы - BJT ULAHIGH-FREQUENCY TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MS2441
- ms2441
- ASI [Advanced Semiconductor]
- NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UTV8100B
- utv8100b
- GHZTECH [GHz Technology]
- 100 Watts Pk, 28 Volt, Class AB UHF Television - Band IV & V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UTV020
- utv020
- GHZTECH [GHz Technology]
- 2 Watts, 25 Volts, Class A UHF Television - Band IV & V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
S200-50
- s200.50
- ETC [List of Unclassifed Manufacturers]
- 200 WATTS - 50 VOLTS 30MHZ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MS2552
- ms2552
- MICROSEMI [Microsemi Corporation]
- RF & MICROWAVE TRANSISTORS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MS1004
- ms1004
- MICROSEMI [Microsemi Corporation]
- 10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
55GN01MA-TL-E
- 55gn01ma.tl.e
- ONSEMI [ON Semiconductor]
- RF Transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPH6003A-TL-E
- cph6003a.tl.e
- SANYO [Sanyo Semicon Device]
- High-frequency Medium-power Amplifier Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5226A-5-TL-E
- 2sc5226a.5.tl.e
- SANYO [Sanyo Semicon Device]
- VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifi er Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5226A-4-TL-E
- 2sc5226a.4.tl.e
- SANYO [Sanyo Semicon Device]
- VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifi er Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5508-T2-A
- 2sc5508.t2.a
- RENESAS [Renesas Technology Corp]
- NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5508-A
- 2sc5508.a
- RENESAS [Renesas Technology Corp]
- NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5509-T2-A
- 2sc5509.t2.a
- RENESAS [Renesas Technology Corp]
- NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER, LOW-NOISE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5509-A
- 2sc5509.a
- RENESAS [Renesas Technology Corp]
- NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER, LOW-NOISE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК