Высокочастотные диоды
Всего товаров: 1162
BAT 15-099 E6327
- bat.15.099.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE SCHOTTKY 4V 110MA SOT-143 Ток выпрямленный: 110mA (DC) · Прямое напряжение: 410mV @ 10mA · Напряжение DC реверсный: 4V · Тип диода: Schottky · Скорость: Small Signal =
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAT 15-05W E6327
- bat.15.05w.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE SCHOTTKY 4V 110MA SOT-323 Ток выпрямленный: 110mA (DC) · Прямое напряжение: 410mV @ 10mA · Напряжение DC реверсный: 4V · Тип диода: Schottky · Скорость: Small Signal =
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAT 15-04W E6327
- bat.15.04w.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE SCHOTTKY 4V 110MA SOT-323 Ток выпрямленный: 110mA (DC) · Прямое напряжение: 410mV @ 10mA · Напряжение DC реверсный: 4V · Тип диода: Schottky · Скорость: Small Signal =
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DAN235UT106
- dan235ut106
- Rohm Semiconductor
- DIODE SWITCH BAND 35V SOT-323 Максимальное обратное напряжение: 35V · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 1.2pF @ 6V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 900 mOhm @ 2mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 150mW · Тип диода: Standard - 1 Pair Coммon Cat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CLA4607-108
- cla4607.108
- Skyworks Solutions Inc
- DIODE LIMITER SILICON 120-180V Максимальное обратное напряжение: 120V · Ток- макс.: 150mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.27pF @ 0V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN -
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CLA4605-108
- cla4605.108
- Skyworks Solutions Inc
- DIODE LIMITER SILICON 30-60V Максимальное обратное напряжение: 30В · Ток- макс.: 150mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.28pF @ 10V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 2.7 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAT 68-06 E6327
- bat.68.06.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE SCHOTTKY 8V 130MA SOT-23 Максимальное обратное напряжение: 8V · Ток- макс.: 130mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 1pF @ 0V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 10 Ohm @ 5mA, 10kHz · Рассеяние мощности (макс.): 150mW · Тип диода: Schottky - 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAT 68-04W E6327
- bat.68.04w.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE SCHOTTKY RF SERIES SOT-323 Максимальное обратное напряжение: 8V · Ток- макс.: 130mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 1pF @ 0V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 10 Ohm @ 5mA, 10kHz · Рассеяние мощности (макс.): 150mW · Корпус: SOT-323
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAT 68-04 E6327
- bat.68.04.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE SCHOTTKY 8V 130MA SOT-23 Максимальное обратное напряжение: 8V · Ток- макс.: 130mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 1pF @ 0V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 10 Ohm @ 5mA, 10kHz · Рассеяние мощности (макс.): 150mW · Корпус: SOT-23
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAT 17 E6327
- bat.17.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE SCHOTTKY 4V 130MA SOT-23 Максимальное обратное напряжение: 4V · Ток- макс.: 130mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.75pF @ 0V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 15 Ohm @ 5mA, 10kHz · Рассеяние мощности (макс.): 150mW · Тип диода: Schottky -
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAT 17-07 E6327
- bat.17.07.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE SCHOTTKY 4V 130MA SOT-143 Максимальное обратное напряжение: 4V · Ток- макс.: 130mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.75pF @ 0V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 15 Ohm @ 5mA, 10kHz · Рассеяние мощности (макс.): 150mW · Тип диода: Schottky
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAT 17-06W E6327
- bat.17.06w.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE SCHOTTKY RF CA SOT-323 Максимальное обратное напряжение: 4V · Ток- макс.: 130mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.75pF @ 0V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 15 Ohm @ 5mA, 10kHz · Рассеяние мощности (макс.): 150mW · Тип диода: Schottky - 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAT 17-05W E6327
- bat.17.05w.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE SCHOTTKY RF CC SOT-323 Максимальное обратное напряжение: 4V · Ток- макс.: 130mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.75pF @ 0V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 15 Ohm @ 5mA, 10kHz · Рассеяние мощности (макс.): 150mW · Тип диода: Schottky - 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAT 17-05 E6327
- bat.17.05.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE SCHOTTKY 4V 130MA SOT-23 Максимальное обратное напряжение: 4V · Ток- макс.: 130mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.75pF @ 0V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 15 Ohm @ 5mA, 10kHz · Рассеяние мощности (макс.): 150mW · Тип диода: Schottky -
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAT 17-04W E6327
- bat.17.04w.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE SCHOTTKY RF SERIES SOT-323 Максимальное обратное напряжение: 4V · Ток- макс.: 130mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.75pF @ 0V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 15 Ohm @ 5mA, 10kHz · Рассеяние мощности (макс.): 150mW · Корпус: SOT-323
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAT 17-04 E6327
- bat.17.04.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE SCHOTTKY 4V 130MA SOT-23 Максимальное обратное напряжение: 4V · Ток- макс.: 130mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.75pF @ 0V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 15 Ohm @ 5mA, 10kHz · Рассеяние мощности (макс.): 150mW · Корпус: SOT-23
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAT 15-02LS E6327
- bat.15.02ls.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE SCHOTTKY 4V 110MA TSSLP-2 Максимальное обратное напряжение: 4V · Ток- макс.: 110mA · Тип диода: Schottky - Single · Корпус: TSSLP-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAR 90-081LS E6327
- bar.90.081ls.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE ARRAY 80V 100MA TSSLP-8 Максимальное обратное напряжение: 80V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.35pF @ 1V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 800 mOhm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 150mW · Тип диода: PIN -
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAR 88-07LRH E6327
- bar.88.07lrh.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE PIN PAR 80V 100MA TSLP-4-7 Максимальное обратное напряжение: 80V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.4pF @ 1V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 600 mOhm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAR 81W E6327
- bar.81w.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE RF SGL 30V 100MA SOT-343 Максимальное обратное напряжение: 30В · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.9pF @ 3V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1 Ohm @ 5mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 100mW · Тип диода: Standard -
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные диоды представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы в диапазоне высоких частот. Эти диоды используются для выпрямления, переключения и детектирования сигналов в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях.
Высокочастотные диоды характеризуются низкой емкостью перехода, быстрым временем восстановления и малыми потерями, что делает их идеальными для применения в системах с высокочастотной обработкой сигналов.
Применение
Высокочастотные диоды находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные (РЧ) устройства: используются в схемах выпрямления и детектирования радиочастотных сигналов.
- Системы связи: применяются в передатчиках и приемниках для обработки сигналов.
- Микроволновые устройства: используются в различных компонентах микроволновых систем для выпрямления и переключения сигналов.
- Высокочастотные генераторы: входят в состав генераторов сигналов для тестирования и измерения.
- Антенны и фильтры: применяются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Системы измерения и тестирования: используются в анализаторах спектра и других измерительных приборах для обработки высокочастотных сигналов.
Высокочастотные диоды играют важную роль в инженерных и прочих проектах, предоставляя точное и надежное выпрямление, переключение и детектирование сигналов в разнообразных высокочастотных системах.
Диоды выделяются своими уникальными характеристиками и широкими возможностями применения, что делает их незаменимыми в различных технологиях и устройствах. Благодаря своей высокой эффективности и надежности, они способствуют улучшению работы и долговечности электронных и электротехнических систем.
Эти диоды обеспечивают быстрое и точное переключение, что критически важно для обработки высокочастотных сигналов. Они способны работать в условиях высоких частот, сохраняя стабильные характеристики и минимальные потери энергии.
Дополнительно, высокочастотные диоды обладают высокой скоростью восстановления и низким уровнем шума, что делает их идеальными для использования в чувствительных электронных схемах. Их компактные размеры и высокая степень интеграции также способствуют легкости внедрения в сложные конструкции и системы, обеспечивая надежную и эффективную работу в широком диапазоне условий эксплуатации.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК