Высокочастотные диоды
Всего товаров: 1162
BAR 63-02W H6327
- bar.63.02w.h6327
- INFINEON
- Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) RF DIODE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAR 63-03W E6327
- bar.63.03w.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE RF SGL 50V 100MA SOD-323 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.3pF @ 5V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Sin
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAR 63-02W E6433
- bar.63.02w.e6433
- Infineon Technologies
- DIODE RF SGL 50V 100MA SCD-80 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.3pF @ 5V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Sing
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAR 63-02W E6127
- bar.63.02w.e6127
- Infineon Technologies
- DIODE RF SGL 50V 100MA SCD-80 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.3pF @ 5V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Sing
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAR 63-02V H6327
- bar.63.02v.h6327
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAR 50-02V E6327
- bar.50.02v.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE RF SGL 50V 100MA SC-79 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.4pF @ 5V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Sin
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAR 50-02V H6327
- bar.50.02v.h6327
- INFINEON
- Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) RF DIODE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAR 50-02L E6327
- bar.50.02l.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE RF SGL 50V 100MA TSLP-2 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.4pF @ 5V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Si
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAR 15-1 E6327
- bar.15.1.e6327
- Infineon Technologies
- DIODE RF DUAL 100V 140MA SOT-23 Максимальное обратное напряжение: 100V · Ток- макс.: 140mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.5pF @ 50V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 12 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN -
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAP70Q,125
- bap70q.125
- NXP Semiconductors
- Регулируемые резистивные диоды QUAD PIN DIODE ATTENUATOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAP70-05,215
- bap70.05.215
- NXP Semiconductors
- DIODE PIN 50V 100MA SOT-23 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.3pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.9 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - 1 P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAP70AM,135
- bap70am.135
- NXP Semiconductors
- DIODE PIN 50V 100MA 6-UMT Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.25pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.9 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 300mW · Корпус: SC-70-6, SC-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAP70AM,115
- bap70am.115
- NXP Semiconductors
- DIODE PIN 50V 100MA 6-UMT Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.25pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.9 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 300mW · Корпус: SC-70-6, SC-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAP70-04W,115
- bap70.04w.115
- NXP Semiconductors
- DIODE PIN 50V 100MA SOT-323 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.3pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.9 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 260mW · Корпус: SC-70-3, SO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAP70-03,115
- bap70.03.115
- NXP Semiconductors
- DIODE PIN 50V 100MA SOD-323 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.25pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.9 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 500мВт · Тип диода: PIN -
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAP65-05W,115
- bap65.05w.115
- NXP Semiconductors
- DIODE PIN 30V 100MA SOT-323 Максимальное обратное напряжение: 30В · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.425pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 350 mOhm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 240mW · Тип диода: PIN -
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAP65LX,315
- bap65lx.315
- NXP Semiconductors
- DIODE SILICON PIN SOD-882T Максимальное обратное напряжение: 30В · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.37pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 350 mOhm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 135mW · Тип диода: PIN - S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAP70-02,115
- bap70.02.115
- NXP Semiconductors
- DIODE PIN 50V 100MA SOD-523 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.25pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.9 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 415mW · Тип диода: PIN - S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAP65-05,215
- bap65.05.215
- NXP Semiconductors
- DIODE PIN 30V 100MA SOT-23 Максимальное обратное напряжение: 30В · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.425pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 350 mOhm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN -
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BAP65-03,115
- bap65.03.115
- NXP Semiconductors
- DIODE PIN 30V 100MA SOD-323 Максимальное обратное напряжение: 30В · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.375pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 350 mOhm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 500мВт · Тип диода: PIN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные диоды представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы в диапазоне высоких частот. Эти диоды используются для выпрямления, переключения и детектирования сигналов в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях.
Высокочастотные диоды характеризуются низкой емкостью перехода, быстрым временем восстановления и малыми потерями, что делает их идеальными для применения в системах с высокочастотной обработкой сигналов.
Применение
Высокочастотные диоды находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные (РЧ) устройства: используются в схемах выпрямления и детектирования радиочастотных сигналов.
- Системы связи: применяются в передатчиках и приемниках для обработки сигналов.
- Микроволновые устройства: используются в различных компонентах микроволновых систем для выпрямления и переключения сигналов.
- Высокочастотные генераторы: входят в состав генераторов сигналов для тестирования и измерения.
- Антенны и фильтры: применяются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Системы измерения и тестирования: используются в анализаторах спектра и других измерительных приборах для обработки высокочастотных сигналов.
Высокочастотные диоды играют важную роль в инженерных и прочих проектах, предоставляя точное и надежное выпрямление, переключение и детектирование сигналов в разнообразных высокочастотных системах.
Диоды выделяются своими уникальными характеристиками и широкими возможностями применения, что делает их незаменимыми в различных технологиях и устройствах. Благодаря своей высокой эффективности и надежности, они способствуют улучшению работы и долговечности электронных и электротехнических систем.
Эти диоды обеспечивают быстрое и точное переключение, что критически важно для обработки высокочастотных сигналов. Они способны работать в условиях высоких частот, сохраняя стабильные характеристики и минимальные потери энергии.
Дополнительно, высокочастотные диоды обладают высокой скоростью восстановления и низким уровнем шума, что делает их идеальными для использования в чувствительных электронных схемах. Их компактные размеры и высокая степень интеграции также способствуют легкости внедрения в сложные конструкции и системы, обеспечивая надежную и эффективную работу в широком диапазоне условий эксплуатации.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК