Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
PTFA041501E V4 R250
- ptfa041501e.v4.r250
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA041501E V4
- ptfa041501e.v4
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTF240101S V1
- ptf240101s.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: H32259-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTF180101M V1
- ptf180101m.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: 10-TSSOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTF210101M V1
- ptf210101m.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.17GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: 10-TSSOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTF180101S V1
- ptf180101s.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: H32259-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTF140451F V1
- ptf140451f.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 45W H-31265 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTF140451E V1
- ptf140451e.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 45W H-30265 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTF080101M V1
- ptf080101m.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: 10-TSSOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTF080101S V1
- ptf080101s.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: H32259-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PN4416
- pn4416
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET RF N-CHAN 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 400MHz · Номинальное напряжение: 30В · Коэффициент шума: 4dB · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PN4416_D27Z
- pn4416.d27z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS TR NPN TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 400MHz · Номинальное напряжение: 30В · Коэффициент шума: 4dB · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PD85025TR-E
- pd85025tr.e
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17.3dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Fo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PD85035S-E
- pd85035s.e
- STMicroelectronics
- TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PD85035STR-E
- pd85035str.e
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PD85035-E
- pd85035.e
- STMicroelectronics
- TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PD85035TR-E
- pd85035tr.e
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Form
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PD85035C
- pd85035c
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH LDMOST M243 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: M243
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PD85035STR1-E
- pd85035str1.e
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PD85025S-E
- pd85025s.e
- STMicroelectronics
- TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17.3dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК