Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
MRF7S19080HSR3
- mrf7s19080hsr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 24Вт · Корпус: NI-780S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S18170HSR5
- mrf7s18170hsr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH NI-880S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.81GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 50Вт · Корпус: NI-880S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S18170HSR3
- mrf7s18170hsr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH NI-880S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.81GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 50Вт · Корпус: NI-880S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S18170HR3
- mrf7s18170hr3
- Freescale Semiconductor
- TRANSISTOR RF LDMOS NI-880 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.81GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 50Вт · Корпус: NI-880
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S18125BHR3
- mrf7s18125bhr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 125Вт · Корпус: NI-780
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S18170HR5
- mrf7s18170hr5
- Freescale Semiconductor
- IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.81GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 50Вт · Корпус: NI-880
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S18125BHSR5
- mrf7s18125bhsr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 125Вт · Корпус: NI-780
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S18125AHSR5
- mrf7s18125ahsr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH CW 125W NI780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.88GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 125Вт · Корпус: NI-780S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S18125BHR5
- mrf7s18125bhr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 125Вт · Корпус: NI-780
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S18125BHSR3
- mrf7s18125bhsr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 125Вт · Корпус: NI-780
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S18125AHR5
- mrf7s18125ahr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.88GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 125Вт · Корпус: NI-780
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S18125AHSR3
- mrf7s18125ahsr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH CW 125W NI780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.88GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 125Вт · Корпус: NI-780S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S16150HSR3
- mrf7s16150hsr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.6GHz · Усиление: 19.7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.5A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 32Вт · Корпус: NI-780S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S18125AHR3
- mrf7s18125ahr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.88GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 125Вт · Корпус: NI-780
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S16150HR3
- mrf7s16150hr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.6GHz · Усиление: 19.7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.5A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 32Вт · Корпус: NI-780
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S15100HSR3
- mrf7s15100hsr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.51GHz · Усиление: 19.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 23Вт · Корпус: NI-780S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S15100HR3
- mrf7s15100hr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.51GHz · Усиление: 19.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 23Вт · Корпус: NI-780
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7S15100HR5
- mrf7s15100hr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.51GHz · Усиление: 19.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 23Вт · Корпус: NI-780
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7P20040HSR5
- mrf7p20040hsr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 2.03GHz · Усиление: 18.2dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-780HS-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF7P20040HSR3
- mrf7p20040hsr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 2.03GHz · Усиление: 18.2dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-780HS-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК