Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
MRF6S23140HR3
- mrf6s23140hr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CHAN 28W 28W NI-880 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.39GHz · Усиление: 15.2dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 28Вт · Корпус: NI-880
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S23100HSR5
- mrf6s23100hsr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.3GHz · Усиление: 15.4dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 20Вт · Корпус: NI-780S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S23100HSR3
- mrf6s23100hsr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.3GHz · Усиление: 15.4dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 20Вт · Корпус: NI-780S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S23100HR5
- mrf6s23100hr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.3GHz · Усиление: 15.4dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 20Вт · Корпус: NI-780
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S21140HSR5
- mrf6s21140hsr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CHAN 28V 30W NI-880S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: NI-880S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S23100HR3
- mrf6s23100hr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.3GHz · Усиление: 15.4dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 20Вт · Корпус: NI-780
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S21190HSR3
- mrf6s21190hsr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 54W NI880S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 28V · Корпус: NI-880S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S21190HR5
- mrf6s21190hr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 54W NI880 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 28V · Корпус: NI-880
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S21140HSR3
- mrf6s21140hsr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CHAN 28V 30W NI-880S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: NI-880S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S21190HSR5
- mrf6s21190hsr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 54W NI880S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 28V · Корпус: NI-880S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S21190HR3
- mrf6s21190hr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 54W NI880 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 28V · Корпус: NI-880
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S21140HR3
- mrf6s21140hr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CHAN 28V 30W NI-880 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: NI-880
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S21140HR5
- mrf6s21140hr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CHAN 28V 30W NI-880 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: NI-880
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S21100NR1
- mrf6s21100nr1
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 28V 23W TO270-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.05A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 23Вт · Корпус: TO-270-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S21100NBR1
- mrf6s21100nbr1
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 28V 23W TO272-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.05A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 23Вт · Корпус: TO-272-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S21100HSR5
- mrf6s21100hsr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 23Вт · Корпус: NI-780S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S21100MR1
- mrf6s21100mr1
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 28V 23W TO270-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.05A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 23Вт · Корпус: TO-270-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S21100HR5
- mrf6s21100hr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 23Вт · Корпус: NI-780
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S21100HSR3
- mrf6s21100hsr3
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 23Вт · Корпус: NI-780S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF6S21100MBR1
- mrf6s21100mbr1
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 28V 23W TO272-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.05A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 23Вт · Корпус: TO-272-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК