Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
BLF8G24LS-200PNJ
- blf8g24ls.200pnj
- NXP Semiconductors
- TRANS RF 200W LDMOS SOT539B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G22LS-270U
- blf8g22ls.270u
- NXP Semiconductors
- TRANS 270W LDMOS SOT502B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G09LS-270GWJ
- blf8g09ls.270gwj
- NXP Semiconductors
- TRANS RF 270W LDMOS CDFM6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G09LS-270WJ
- blf8g09ls.270wj
- NXP Semiconductors
- TRANS RF 270W LDMOS CDFM6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G10LS-270GVJ
- blf8g10ls.270gvj
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF POWER 270W ACC-6L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G20LS-260A,112
- blf8g20ls.260a.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF POWER 260W LDMOST
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G10LS-270V,118
- blf8g10ls.270v.118
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF POWER 270W ACC-6L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G22LS-270J
- blf8g22ls.270j
- NXP Semiconductors
- TRANS 270W LDMOS SOT502B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLC8G27LS-180AVZ
- blc8g27ls.180avz
- NXP Semiconductors
- IC TRANS LDMOS 180W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G10LS-270,112
- blf8g10ls.270.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF POWER 270W LDMOST
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G20LS-260A,118
- blf8g20ls.260a.118
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF POWER 260W LDMOST
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLC8G27LS-160AVU
- blc8g27ls.160avu
- NXP Semiconductors
- IC TRANS LDMOS 160W 6DFM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLC8G27LS-180AVY
- blc8g27ls.180avy
- NXP Semiconductors
- IC TRANS LDMOS 180W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G10LS-270,118
- blf8g10ls.270.118
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF POWER 270W LDMOST
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLC8G27LS-140AVZ
- blc8g27ls.140avz
- NXP Semiconductors
- TRANS RF 140W 65V LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLC8G27LS-160AVJ
- blc8g27ls.160avj
- NXP Semiconductors
- IC TRANS LDMOS 160W 6DFM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF7G24L-160P,112
- blf7g24l.160p.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF POWER LDMOST
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLC8G27LS-140AVY
- blc8g27ls.140avy
- NXP Semiconductors
- TRANS RF 140W 65V LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G24LS-150GVQ
- blf8g24ls.150gvq
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF POWER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G27LS-140V,112
- blf8g27ls.140v.112
- NXP Semiconductors
- TRANS 140W LDMOS CDFM6 SOT1120B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК