Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

IS41LV16100B-60TLI-TR

  • is41lv16100b.60tli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC DRAM 16MBIT 60NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: DRAM - EDO · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 60ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS41LV16100B-60TLI

  • is41lv16100b.60tli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC DRAM 16MBIT 60NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: DRAM - EDO · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 60ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS41LV16100B-60TL-TR

  • is41lv16100b.60tl.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC DRAM 16MBIT 60NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: DRAM - EDO · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 60ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS41LV16100B-60TL

  • is41lv16100b.60tl
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC DRAM 16MBIT 60NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: DRAM - EDO · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 60ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS41LV16100B-60KL-TR

  • is41lv16100b.60kl.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: DRAM - EDO · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 60ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 42-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS41LV16100B-60KLI

  • is41lv16100b.60kli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: DRAM - EDO · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 60ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 42-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS41LV16100B-60KL

  • is41lv16100b.60kl
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: DRAM - EDO · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 60ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 42-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS41LV16100B-60KLI-TR

  • is41lv16100b.60kli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: DRAM - EDO · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 60ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 42-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS41LV16100B-50TL-TR

  • is41lv16100b.50tl.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC DRAM 16MBIT 50NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: DRAM - EDO · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 50ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS41LV16100B-50TLI-TR

  • is41lv16100b.50tli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC DRAM 16MBIT 50NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: DRAM - EDO · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 50ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS41LV16100B-50TLI

  • is41lv16100b.50tli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC DRAM 16MBIT 50NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: DRAM - EDO · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 50ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS41LV16100B-50TL

  • is41lv16100b.50tl
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC DRAM 16MBIT 50NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: DRAM - EDO · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 50ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS41LV16100B-50KL-TR

  • is41lv16100b.50kl.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC DRAM 16MBIT 50NS 42SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: DRAM - EDO · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 50ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 42-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS41LV16100B-50KLI-TR

  • is41lv16100b.50kli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC DRAM 16MBIT 50NS 42SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: DRAM - EDO · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 50ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 42-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS41LV16100B-50KLI

  • is41lv16100b.50kli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC DRAM 16MBIT 50NS 42SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: DRAM - EDO · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 50ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 42-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS41LV16100B-50KL

  • is41lv16100b.50kl
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC DRAM 16MBIT 50NS 42SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: DRAM - EDO · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 50ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 42-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V546S100PF

  • idt71v546s100pf
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 4MBIT 100MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous ZBT · Объем памяти: 4M (128K x 36) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71256L35Y

  • idt71256l35y
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 256K (32K x 8) · Скорость: 35ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 28-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT6116SA45TP

  • idt6116sa45tp
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 16KBIT 45NS 24DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 16K (2K x 8) · Скорость: 45ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 24-DIP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT6116SA25TP

  • idt6116sa25tp
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 16KBIT 25NS 24DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 16K (2K x 8) · Скорость: 25ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 24-DIP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь