Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

CY7C131-55JXCT

  • cy7c131.55jxct
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 8KBIT 55NS 52PLCC Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Asynchronous · Объем памяти: 8K (1K x 8) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 52-PL

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1314KV18-333BZC

  • cy7c1314kv18.333bzc
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 18432KB 1ms 690mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C131-55JXC

  • cy7c131.55jxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 8KBIT 55NS 52PLCC Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Asynchronous · Объем памяти: 8K (1K x 8) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 52-PL

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1314KV18-300BZXC

  • cy7c1314kv18.300bzxc
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 18Mb 1.8V 512Kb x 36

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1314KV18-250BZXI

  • cy7c1314kv18.250bzxi
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 18Mbit QDR Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1314KV18-250BZXC

  • cy7c1314kv18.250bzxc
  • CYPRESS
  • FBGA 165/C°/18-Mbit QDR II SRAM Two-Word Burst Architecture

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1314KV18-250BZXCT

  • cy7c1314kv18.250bzxct
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 18Mb 1.8V 1Mb x 18

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1314KV18-250BZI

  • cy7c1314kv18.250bzi
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 18Mb 1.8V 512K x 36

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1314KV18-250BZC

  • cy7c1314kv18.250bzc
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 18432KB 1ms 560mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1314KV18-250BZCT

  • cy7c1314kv18.250bzct
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 18432KB 1ms 560mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1314CV18-200BZI

  • cy7c1314cv18.200bzi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 512KX36 QDRII 165-FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 165-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1314JV18-250BZXC

  • cy7c1314jv18.250bzxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM SYNC 18KB QDR2 165-FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, QDR II · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 250MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпу

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1314CV18-250BZC

  • cy7c1314cv18.250bzc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, QDR II · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 250MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1314CV18-167BZC

  • cy7c1314cv18.167bzc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, QDR II · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 167MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1314CV18-200BZC

  • cy7c1314cv18.200bzc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, QDR II · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1314BV18-250BZXC

  • cy7c1314bv18.250bzxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, QDR II · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 250MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1314BV18-250BZC

  • cy7c1314bv18.250bzc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, QDR II · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 250MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1314BV18-200BZC

  • cy7c1314bv18.200bzc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, QDR II · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1314BV18-167BZC

  • cy7c1314bv18.167bzc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, QDR II · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 167MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1314BV18-167BZI

  • cy7c1314bv18.167bzi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, QDR II · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 167MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпу

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь