Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

CY7C1265KV18-400BZC

  • cy7c1265kv18.400bzc
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 36864KB 1ms 660mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1263V18-400BZC

  • cy7c1263v18.400bzc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 36MBIT 400MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, QDR II · Объем памяти: 36M (4M x 8) · Скорость: 400MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 16

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1263V18-375BZXC

  • cy7c1263v18.375bzxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 36MBIT 375MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, QDR II · Объем памяти: 36M (4M x 8) · Скорость: 375MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 16

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1263KV18-550BZI

  • cy7c1263kv18.550bzi
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 36864KB 1ms 850mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1263KV18-550BZXC

  • cy7c1263kv18.550bzxc
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 36Mb 1.8V 2Mb x 18

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1263KV18-500BZXC

  • cy7c1263kv18.500bzxc
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 36Mb 1.8V 2Mb x 18

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1263KV18-400BZI

  • cy7c1263kv18.400bzi
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 36-Mbit QDR II+Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C12631KV18-400BZI

  • cy7c12631kv18.400bzi
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 2Mb X 18 400MHz QDR-II+ Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1250V18-333BZC

  • cy7c1250v18.333bzc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, DDR II · Объем памяти: 36M (1M x 36) · Скорость: 333MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1250KV18-450BZXC

  • cy7c1250kv18.450bzxc
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 36864KB 1ms 600mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1263KV18-400BZC

  • cy7c1263kv18.400bzc
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 36Mb 1.8V 2Mb x 18

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1250V18-333BZXC

  • cy7c1250v18.333bzxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, DDR II · Объем памяти: 36M (1M x 36) · Скорость: 333MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1250KV18-400BZXC

  • cy7c1250kv18.400bzxc
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 36864KB 1ms 550mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1250KV18-400BZC

  • cy7c1250kv18.400bzc
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 1Mx36 36MB 2.9V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1250KV18-400BZI

  • cy7c1250kv18.400bzi
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 1Mx36 36MB 2.9V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C12501KV18-400BZC

  • cy7c12501kv18.400bzc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 36MBIT 400MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, DDR II+ · Объем памяти: 36M (1M x 36) · Скорость: 400MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1248KV18-400BZXC

  • cy7c1248kv18.400bzxc
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 36864KB 1ms 550mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1248KV18-450BZXC

  • cy7c1248kv18.450bzxc
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 36864KB 1ms 600mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1245KV18-450BZC

  • cy7c1245kv18.450bzc
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 36864KB 1ms 720mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C12481KV18-400BZC

  • cy7c12481kv18.400bzc
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 2M X 18 400MHz DDR II+ Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь