Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

CY7C109BN-12ZXC

  • cy7c109bn.12zxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C109B-20ZXC

  • cy7c109b.20zxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 20NS 32TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 20ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C109B-20ZC

  • cy7c109b.20zc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 20NS 32TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 20ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C109B-15ZXCT

  • cy7c109b.15zxct
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 32TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C109B-15ZXC

  • cy7c109b.15zxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 32TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C109B-15ZC

  • cy7c109b.15zc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 32TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C109B-15VXCT

  • cy7c109b.15vxct
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C109B-15VXC

  • cy7c109b.15vxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C109B-12VC

  • cy7c109b.12vc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C109B-12ZXCT

  • cy7c109b.12zxct
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C109B-12ZXC

  • cy7c109b.12zxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C109B-15VC

  • cy7c109b.15vc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C107D-10VXIT

  • cy7c107d.10vxit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 28SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (1M x 1) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 28-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C107D-10VXI

  • cy7c107d.10vxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 28SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (1M x 1) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 28-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1081DV33-12BAXI

  • cy7c1081dv33.12baxi
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 64-Mbit (4 M x 16) Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1079DV33-12BAXIT

  • cy7c1079dv33.12baxit
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 32-Mbit Static RAM 12ns 250mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1079DV33-12BAXI

  • cy7c1079dv33.12baxi
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 32-Mbit Static RAM 12ns 250mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1071DV33-12BAXIT

  • cy7c1071dv33.12baxit
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 32-Mbit (2M x 16) Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1071DV33-12BAXI

  • cy7c1071dv33.12baxi
  • CYPRESS
  • Стат. ОЗУ 32-Mbit (2M x 16) Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C106D-10VXIT

  • cy7c106d.10vxit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 28SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (256k x 4) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 28-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь