Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

CY7C1049B-15VC

  • cy7c1049b.15vc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 4MBIT 15NS 36SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 36-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1046D-10VXI

  • cy7c1046d.10vxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (1M x 4) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1046DV33-10VXI

  • cy7c1046dv33.10vxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (1M x 4) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1046DV33-10VXIT

  • cy7c1046dv33.10vxit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (1M x 4) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1046D-10VXIT

  • cy7c1046d.10vxit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (1M x 4) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1046CV33-12VXC

  • cy7c1046cv33.12vxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 4MBIT 12NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (1M x 4) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1041DV33-10ZSXI

  • cy7c1041dv33.10zsxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1041DV33-10ZSXIT

  • cy7c1041dv33.10zsxit
  • Cypress Semiconductor Corp, CYPRESS
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1041DV33-10VXIT

  • cy7c1041dv33.10vxit
  • Cypress Semiconductor Corp, CYPRESS
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1041DV33-10VXI

  • cy7c1041dv33.10vxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1041DV33-10BVIT

  • cy7c1041dv33.10bvit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 48VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1041DV33-10BVXI

  • cy7c1041dv33.10bvxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 48VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1041DV33-10BVJXIT

  • cy7c1041dv33.10bvjxit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 48VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1041DV33-10BVI

  • cy7c1041dv33.10bvi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 48VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1041DV33-10BVJXI

  • cy7c1041dv33.10bvjxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 48VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1041DV33-10BVXIT

  • cy7c1041dv33.10bvxit
  • Cypress Semiconductor Corp, CYPRESS
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 48VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1041D-10ZSXI

  • cy7c1041d.10zsxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1041D-10ZSXIT

  • cy7c1041d.10zsxit
  • Cypress Semiconductor Corp, CYPRESS
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1041D-10VXIT

  • cy7c1041d.10vxit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1041D-10VXI

  • cy7c1041d.10vxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь