Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

CY7C1021CV33-12VXE

  • cy7c1021cv33.12vxe
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 44-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV33-12VXC

  • cy7c1021cv33.12vxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV33-12VXCT

  • cy7c1021cv33.12vxct
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV33-12VC

  • cy7c1021cv33.12vc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV33-12BAXIT

  • cy7c1021cv33.12baxit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV33-12BAXI

  • cy7c1021cv33.12baxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV33-10ZXI

  • cy7c1021cv33.10zxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV33-10ZXIT

  • cy7c1021cv33.10zxit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV33-10ZXCT

  • cy7c1021cv33.10zxct
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV33-10ZSXAT

  • cy7c1021cv33.10zsxat
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV33-10ZXC

  • cy7c1021cv33.10zxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV33-10ZSXA

  • cy7c1021cv33.10zsxa
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV33-10ZC

  • cy7c1021cv33.10zc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV33-10VXC

  • cy7c1021cv33.10vxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 44SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV33-10VXCT

  • cy7c1021cv33.10vxct
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 44SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV33-10VC

  • cy7c1021cv33.10vc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 44SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV33-10BAXIT

  • cy7c1021cv33.10baxit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV33-10BAXI

  • cy7c1021cv33.10baxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV26-15ZXE

  • cy7c1021cv26.15zxe
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.5 V ~ 2.7 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1021CV26-15ZSXET

  • cy7c1021cv26.15zsxet
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.5 V ~ 2.7 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь