Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

CY7C1019BN-12ZXC

  • cy7c1019bn.12zxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1019BN-15ZXCT

  • cy7c1019bn.15zxct
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1019BN-12ZXCT

  • cy7c1019bn.12zxct
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1019B-12ZXC

  • cy7c1019b.12zxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1019B-12VC

  • cy7c1019b.12vc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1018DV33-10VXI

  • cy7c1018dv33.10vxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1018DV33-10VXIT

  • cy7c1018dv33.10vxit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1018CV33-12VXI

  • cy7c1018cv33.12vxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1018CV33-12VXIT

  • cy7c1018cv33.12vxit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1012DV33-10BGXIT

  • cy7c1012dv33.10bgxit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 12MBIT 10NS 119BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 12M (512K x 24) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 119-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1012DV33-10BGXI

  • cy7c1012dv33.10bgxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 12MBIT 10NS 119BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 12M (512K x 24) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 119-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1012AV33-8BGCT

  • cy7c1012av33.8bgct
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 12MBIT 8NS 119BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 12M (512K x 24) · Скорость: 8ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 119-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1012AV33-8BGC

  • cy7c1012av33.8bgc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 12MBIT 8NS 119BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 12M (512K x 24) · Скорость: 8ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 119-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1011DV33-10BVIT

  • cy7c1011dv33.10bvit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 2MBIT 10NS 48VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 2M (128K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1011DV33-10ZSXI

  • cy7c1011dv33.10zsxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 2MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 2M (128K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1011DV33-10BVXI

  • cy7c1011dv33.10bvxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 2MBIT 10NS 48VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 2M (128K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1011DV33-10BVXIT

  • cy7c1011dv33.10bvxit
  • Cypress Semiconductor Corp, CYPRESS
  • IC SRAM 2MBIT 10NS 48VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 2M (128K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1011DV33-10BVI

  • cy7c1011dv33.10bvi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 2MBIT 10NS 48VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 2M (128K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1011CV33-12ZSXET

  • cy7c1011cv33.12zsxet
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 2MBIT 12NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 2M (128K x 16) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CY7C1011CV33-12ZSXE

  • cy7c1011cv33.12zsxe
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 2MBIT 12NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 2M (128K x 16) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь