Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Модули памяти

Всего товаров: 35537

Изображения для CY14B104M-ZSP45XI

CY14B104M-ZSP45XI

  • cy14b104m.zsp45xi
  • CYPRESS
  • TSOP 54/I

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104M-ZSP25XI

CY14B104M-ZSP25XI

  • cy14b104m.zsp25xi
  • GLENAIR
  • TSOP 54/INDUS/CY14B104M-ZSP25XI

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104L-ZS45XI

CY14B104L-ZS45XI

  • cy14b104l.zs45xi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 4MBIT 45NS 54TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 45ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 54-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104L-ZS45XCT

CY14B104L-ZS45XCT

  • cy14b104l.zs45xct
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 4MBIT 45NS 54TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 45ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 54-TS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104L-ZS45XC

CY14B104L-ZS45XC

  • cy14b104l.zs45xc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 4MBIT 45NS 54TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 45ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 54-TS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104L-ZS25XIT

CY14B104L-ZS25XIT

  • cy14b104l.zs25xit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 4MBIT 25NS 54TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 25ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 54-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104L-ZS25XI

CY14B104L-ZS25XI

  • cy14b104l.zs25xi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 4MBIT 25NS 54TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 25ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 54-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104L-ZS25XC

CY14B104L-ZS25XC

  • cy14b104l.zs25xc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 4MBIT 25NS 54TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 25ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 54-TS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104L-ZS20XI

CY14B104L-ZS20XI

  • cy14b104l.zs20xi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 4MBIT 20NS 54TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 20ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 54-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104L-ZS25XCT

CY14B104L-ZS25XCT

  • cy14b104l.zs25xct
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 4MBIT 25NS 54TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 25ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 54-TS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104L-ZS20XIT

CY14B104L-ZS20XIT

  • cy14b104l.zs20xit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 4MBIT 20NS 54TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 20ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 54-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104L-BA45XIT

CY14B104L-BA45XIT

  • cy14b104l.ba45xit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 4MBIT 45NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 45ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104L-ZS20XC

CY14B104L-ZS20XC

  • cy14b104l.zs20xc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 4MBIT 20NS 54TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 20ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 54-TS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104L-ZS20XCT

CY14B104L-ZS20XCT

  • cy14b104l.zs20xct
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 4MBIT 20NS 54TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 20ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 54-TS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104L-BA45XI

CY14B104L-BA45XI

  • cy14b104l.ba45xi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 4MBIT 45NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 45ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104L-BA45XCT

CY14B104L-BA45XCT

  • cy14b104l.ba45xct
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 4MBIT 45NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 45ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 48-FB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104L-BA45XC

CY14B104L-BA45XC

  • cy14b104l.ba45xc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 4MBIT 45NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 45ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 48-FB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104L-BA20XI

CY14B104L-BA20XI

  • cy14b104l.ba20xi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 4MBIT 20NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 20ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104L-BA25XIT

CY14B104L-BA25XIT

  • cy14b104l.ba25xit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 4MBIT 25NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 25ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CY14B104L-BA20XIT

CY14B104L-BA20XIT

  • cy14b104l.ba20xit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC NVSRAM 4MBIT 20NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 20ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь