Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

IS42S16160D-7TLI

  • is42s16160d.7tli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 256M (16Mx16) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 54-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16100E-6TL

  • is42s16100e.6tl
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 16MBIT 166MHZ 50TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 166MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 50-TSOPII

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16100C1-7T

  • is42s16100c1.7t
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 16MBIT 143MHZ 50TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 50-TSOPII

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V67903S85PFI8

  • idt71v67903s85pfi8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100-TQF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V67903S85PFI

  • idt71v67903s85pfi
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100-TQF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V67903S85PF8

  • idt71v67903s85pf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V67903S85PF

  • idt71v67903s85pf
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V67903S80PFI8

  • idt71v67903s80pfi8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 80NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 80ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100-TQF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V67903S80PFI

  • idt71v67903s80pfi
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 80NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 80ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100-TQF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V67903S80PF8

  • idt71v67903s80pf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 80NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 80ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V67903S80PF

  • idt71v67903s80pf
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 80NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 80ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V67903S75PFI8

  • idt71v67903s75pfi8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 75ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100-TQF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V67903S75PFI

  • idt71v67903s75pfi
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 75ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100-TQF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V67903S75PF8

  • idt71v67903s75pf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 75ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V67903S75PF

  • idt71v67903s75pf
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 75ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V67803S166PF8

  • idt71v67803s166pf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 166MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 100-T

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V67803S166PF

  • idt71v67803s166pf
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 166MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 100-T

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V67803S150PF8

  • idt71v67803s150pf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 150MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 100-T

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V67803S150PF

  • idt71v67803s150pf
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 150MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 100-T

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V67803S133PFI8

  • idt71v67803s133pfi8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 133MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь