Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

IDT71V65602S100PFGI8

  • idt71v65602s100pfgi8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous ZBT · Объем памяти: 9M (256K x 36) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V65602S100PFGI

  • idt71v65602s100pfgi
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous ZBT · Объем памяти: 9M (256K x 36) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V65602S100PFG8

  • idt71v65602s100pfg8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous ZBT · Объем памяти: 9M (256K x 36) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V65602S100PFG

  • idt71v65602s100pfg
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous ZBT · Объем памяти: 9M (256K x 36) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V65602S100PF8

  • idt71v65602s100pf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous ZBT · Объем памяти: 9M (256K x 36) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V65602S100PF

  • idt71v65602s100pf
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous ZBT · Объем памяти: 9M (256K x 36) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V65602S100BQ8

  • idt71v65602s100bq8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 100MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous ZBT · Объем памяти: 9M (256K x 36) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V65602S100BQ

  • idt71v65602s100bq
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 100MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous ZBT · Объем памяти: 9M (256K x 36) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V65602S100BG8

  • idt71v65602s100bg8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous ZBT · Объем памяти: 9M (256K x 36) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 11

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V65602S100BG

  • idt71v65602s100bg
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous ZBT · Объем памяти: 9M (256K x 36) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 11

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V632ZS5PF8

  • idt71v632zs5pf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 2MBIT 5NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 2M (64K x 32) · Скорость: 5ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.63 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V632ZS5PF

  • idt71v632zs5pf
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 2MBIT 5NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 2M (64K x 32) · Скорость: 5ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.63 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V632S8PFG8

  • idt71v632s8pfg8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 2MBIT 8NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 2M (64K x 32) · Скорость: 8ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.63 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V632S8PFG

  • idt71v632s8pfg
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 2MBIT 8NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 2M (64K x 32) · Скорость: 8ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.63 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V632S8PF8

  • idt71v632s8pf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 2MBIT 8NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 2M (64K x 32) · Скорость: 8ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.63 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V632S7PFI8

  • idt71v632s7pfi8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 2M (64K x 32) · Скорость: 7ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.63 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V632S7PFI

  • idt71v632s7pfi
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 2M (64K x 32) · Скорость: 7ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.63 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V632S7PF8

  • idt71v632s7pf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 2M (64K x 32) · Скорость: 7ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.63 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V632S6PFI8

  • idt71v632s6pfi8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 2MBIT 6NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 2M (64K x 32) · Скорость: 6ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.63 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71V632S6PFI

  • idt71v632s6pfi
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 2MBIT 6NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 2M (64K x 32) · Скорость: 6ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.63 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь