Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

IDT71T016SA20BF8

  • idt71t016sa20bf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1MBIT 20NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 20ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 48-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71T016SA20BF

  • idt71t016sa20bf
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1MBIT 20NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 20ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 48-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71T016SA15PHI8

  • idt71t016sa15phi8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71T016SA15PHI

  • idt71t016sa15phi
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71T016SA15PHG8

  • idt71t016sa15phg8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71T016SA15PHG

  • idt71t016sa15phg
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71T016SA15PH8

  • idt71t016sa15ph8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71T016SA15PH

  • idt71t016sa15ph
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71T016SA15BFI

  • idt71t016sa15bfi
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71T016SA15BF8

  • idt71t016sa15bf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 48-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71T016SA15BF

  • idt71t016sa15bf
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1MBIT 15NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 48-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71T016SA12PHI

  • idt71t016sa12phi
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71T016SA12PH8

  • idt71t016sa12ph8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71T016SA12PH

  • idt71t016sa12ph
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71T016SA12BFI

  • idt71t016sa12bfi
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71T016SA12BF8

  • idt71t016sa12bf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 48FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 48-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71P79804S267BQ8

  • idt71p79804s267bq8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 18MBIT 267MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, DDR II · Объем памяти: 18M (1M x 18) · Скорость: 267MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71P79804S267BQ

  • idt71p79804s267bq
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 18MBIT 267MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, DDR II · Объем памяти: 18M (1M x 18) · Скорость: 267MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71P79804S250BQI8

  • idt71p79804s250bqi8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, DDR II · Объем памяти: 18M (1M x 18) · Скорость: 250MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT71P79804S250BQI

  • idt71p79804s250bqi
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, DDR II · Объем памяти: 18M (1M x 18) · Скорость: 250MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь