Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

IDT70P3337S233RM

  • idt70p3337s233rm
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 233MHZ 576FCBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 233MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT70P3307S250RM

  • idt70p3307s250rm
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 18MBIT 250MHZ 576FCBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II · Объем памяти: 18M (1M x 18) · Скорость: 250MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT70P3307S233RM

  • idt70p3307s233rm
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 18MBIT 233MHZ 576FCBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II · Объем памяти: 18M (1M x 18) · Скорость: 233MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT709389L9PFI8

  • idt709389l9pfi8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 1.125M (64K x 18) · Скорость: 9ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Кор

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT709389L9PFI

  • idt709389l9pfi
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 1.125M (64K x 18) · Скорость: 9ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Кор

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT709389L9PF8

  • idt709389l9pf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 1.125M (64K x 18) · Скорость: 9ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпу

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT709389L9PF

  • idt709389l9pf
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 1.125M (64K x 18) · Скорость: 9ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпу

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT709389L7PF8

  • idt709389l7pf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1.125MBIT 7NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 1.125M (64K x 18) · Скорость: 7ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпу

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT709389L7PF

  • idt709389l7pf
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1.125MBIT 7NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 1.125M (64K x 18) · Скорость: 7ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпу

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT709389L12PF8

  • idt709389l12pf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1.125MBIT 12NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 1.125M (64K x 18) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Кор

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT709389L12PF

  • idt709389l12pf
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1.125MBIT 12NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 1.125M (64K x 18) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Кор

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT709199L9PFI8

  • idt709199l9pfi8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 1.125M (128K x 9) · Скорость: 9ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Кор

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT709199L9PFI

  • idt709199l9pfi
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 1.125M (128K x 9) · Скорость: 9ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Кор

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT709199L9PF8

  • idt709199l9pf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 1.125M (128K x 9) · Скорость: 9ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпу

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT709199L9PF

  • idt709199l9pf
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 1.125M (128K x 9) · Скорость: 9ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпу

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT709199L7PF8

  • idt709199l7pf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1.125MBIT 7NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 1.125M (128K x 9) · Скорость: 7ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпу

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT709199L7PF

  • idt709199l7pf
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1.125MBIT 7NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 1.125M (128K x 9) · Скорость: 7ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпу

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT709199L12PF8

  • idt709199l12pf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1.125MBIT 12NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 1.125M (128K x 9) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Кор

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT709199L12PF

  • idt709199l12pf
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 1.125MBIT 12NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 1.125M (128K x 9) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · К

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT70825S35PF8

  • idt70825s35pf8
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SARAM 128KBIT 35NS 80TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SARAM · Объем памяти: 128K (8K x 16) · Скорость: 35ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 80-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь