Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Модули памяти

Всего товаров: 35537

Изображения для CYDM064B16-55BVXIT

CYDM064B16-55BVXIT

  • cydm064b16.55bvxit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 64KBIT 55NS 100FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, MoBL · Объем памяти: 64K (4K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDM064B16-55BVXI

CYDM064B16-55BVXI

  • cydm064b16.55bvxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 64KBIT 55NS 100FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, MoBL · Объем памяти: 64K (4K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 2.7 V ~ 3.3 V · Рабочая температура:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDM064B16-40BVXIT

CYDM064B16-40BVXIT

  • cydm064b16.40bvxit
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 64KBIT 40NS 100FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, MoBL · Объем памяти: 64K (4K x 16) · Скорость: 40ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDM064B16-40BVXI

CYDM064B16-40BVXI

  • cydm064b16.40bvxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 64KBIT 40NS 100FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, MoBL · Объем памяти: 64K (4K x 16) · Скорость: 40ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDM064B08-55BVXI

CYDM064B08-55BVXI

  • cydm064b08.55bvxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 64KBIT 55NS 100FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, MoBL · Объем памяти: 64K (8K x 8) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDM064B08-40BVXI

CYDM064B08-40BVXI

  • cydm064b08.40bvxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 64KBIT 40NS 100FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, MoBL · Объем памяти: 64K (8K x 8) · Скорость: 40ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDD18S72V18-200BBXC

CYDD18S72V18-200BBXC

  • cydd18s72v18.200bbxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 18MBIT 200MHZ 256FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 18M (256K x 36 x 2 or 256K x 72) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V · Рабо

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDD18S72V18-167BBXI

CYDD18S72V18-167BBXI

  • cydd18s72v18.167bbxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 18MBIT 167MHZ 256FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 18M (256K x 36 x 2 or 256K x 72) · Скорость: 167MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V · Рабо

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDD18S72V18-167BBXC

CYDD18S72V18-167BBXC

  • cydd18s72v18.167bbxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 18MBIT 167MHZ 256FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 18M (256K x 36 x 2 or 256K x 72) · Скорость: 167MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V · Рабо

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDD18S36V18-200BBXC

CYDD18S36V18-200BBXC

  • cydd18s36v18.200bbxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 18MBIT 200MHZ 256FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 18M (256K x 36 x 2 or 256K x 72) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V · Рабо

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDD18S36V18-167BBXI

CYDD18S36V18-167BBXI

  • cydd18s36v18.167bbxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 18MBIT 167MHZ 256FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 18M (256K x 36 x 2 or 256K x 72) · Скорость: 167MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V · Рабо

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDD18S36V18-167BBXC

CYDD18S36V18-167BBXC

  • cydd18s36v18.167bbxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 18MBIT 167MHZ 256FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 18M (256K x 36 x 2 or 256K x 72) · Скорость: 167MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V · Рабо

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDD09S36V18-200BBXC

CYDD09S36V18-200BBXC

  • cydd09s36v18.200bbxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 9M (128K x 36 x 2) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDD09S36V18-167BBXI

CYDD09S36V18-167BBXI

  • cydd09s36v18.167bbxi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 9MBIT 167MHZ 256FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 9M (128K x 36 x 2) · Скорость: 167MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDD09S36V18-167BBXC

CYDD09S36V18-167BBXC

  • cydd09s36v18.167bbxc
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 9MBIT 167MHZ 256FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous · Объем памяти: 9M (128K x 36 x 2) · Скорость: 167MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDC256B16-55AXI

CYDC256B16-55AXI

  • cydc256b16.55axi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 256KBIT 55NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, MoBL · Объем памяти: 256K (16K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDC128B16-55AXI

CYDC128B16-55AXI

  • cydc128b16.55axi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 128KBIT 55NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, MoBL · Объем памяти: 128K (8K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDC128B08-55AXI

CYDC128B08-55AXI

  • cydc128b08.55axi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 128KBIT 55NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, MoBL · Объем памяти: 128K (16K x 8) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDC064B16-55AXI

CYDC064B16-55AXI

  • cydc064b16.55axi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 64KBIT 55NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, MoBL · Объем памяти: 64K (4K x 16) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для CYDC064B08-55AXI

CYDC064B08-55AXI

  • cydc064b08.55axi
  • Cypress Semiconductor Corp
  • IC SRAM 64KBIT 55NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, MoBL · Объем памяти: 64K (8K x 8) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь