Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

NAND32GW3F4AN6E

  • nand32gw3f4an6e
  • Numonyx/ST Micro
  • IC FLASH 32GBIT SLC 48TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

M36W0R5040B5ZAQE

  • m36w0r5040b5zaqe
  • Numonyx/ST Micro
  • IC FLASH 32/16MB PS 1.8V TFBGA88

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CAT28F010HR12

  • cat28f010hr12
  • ON Semiconductor
  • IC FLASH MEM 1MBIT 120NS 32TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CAT28F010HI12

  • cat28f010hi12
  • ON Semiconductor
  • IC FLASH MEM 1MBIT 120NS 32TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

W24257S-70LL T/R

  • w24257s.70ll.t.r
  • Winbond Electronics
  • IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM · Объем памяти: 256K (32K x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 28-SOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

TE48F4400P0VB00A

  • te48f4400p0vb00a
  • Numonyx/Intel
  • IC FLASH 512MBIT 85NS 56TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH · Объем памяти: 512M (32Mx16) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 2 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 56-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

TE28F640P33T85A

  • te28f640p33t85a
  • Numonyx/Intel
  • IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH · Объем памяти: 64M (4M x 16) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 56-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND256W3A0BZA6E

  • nand256w3a0bza6e
  • Numonyx/ST Micro
  • IC FLASH 256MBIT 55VFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 256M (32M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 55-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND16GW3B6DPA6F

  • nand16gw3b6dpa6f
  • Numonyx/ST Micro
  • IC FLASH 16GBIT 114LFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 16G (2G x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 114-LFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND16GW3B6DPA6E

  • nand16gw3b6dpa6e
  • Numonyx/ST Micro
  • IC FLASH 16GBIT 114LFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 16G (2G x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 114-LFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F4G08AACHC:C TR

  • mt29f4g08aachc.c.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC FLASH 4GBIT 63VFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 4G (512M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 63-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F1G16ABCHC:C TR

  • mt29f1g16abchc.c.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC FLASH 1GBIT 63VFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 1G (64M x 16) · Интерфейс подключения: Параллельный · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 63-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT29F1G08ABCHC:C TR

  • mt29f1g08abchc.c.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC FLASH 1GBIT 63VFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 1G (128M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 63-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

M58BW32FB5T3T

  • m58bw32fb5t3t
  • Numonyx/ST Micro
  • IC FLASH 32MBIT 55NS 80PQFP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH · Объем памяти: 32M (1M x 32) · Скорость: 55ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.5 V ~ 3.3 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 80-PQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

M58BW32FB4T3T

  • m58bw32fb4t3t
  • Numonyx/ST Micro
  • IC FLASH 32MBIT 45NS 80PQFP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH · Объем памяти: 32M (1M x 32) · Скорость: 45ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 80-PQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LPS51236A-200TQLI-TR

  • is61lps51236a.200tqli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT70P3537S250RM

  • idt70p3537s250rm
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 18MBIT 250MHZ 576FCBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 250MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT70P3537S233RM

  • idt70p3537s233rm
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 18MBIT 233MHZ 576FCBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 233MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT70P3517S233RMI

  • idt70p3517s233rmi
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 233MHZ 576FCBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II · Объем памяти: 9M (256K x 36) · Скорость: 233MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IDT70P3337S233RMI

  • idt70p3337s233rmi
  • IDT, Integrated Device Technol
  • IC SRAM 9MBIT 233MHZ 576FCBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 233MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь