Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

NAND512W3A2DZA6E

  • nand512w3a2dza6e
  • Numonyx/ST Micro
  • IC FLASH 512MBIT 63VFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 512M (64M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 63-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND512W4A0AN6E

  • nand512w4a0an6e
  • Numonyx/ST Micro
  • IC FLASH 512MBIT 48TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 512M (32Mx16) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND512W3A2SZA6E

  • nand512w3a2sza6e
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND512W3A2SN6E

  • nand512w3a2sn6e
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND512W3A2DN6E

  • nand512w3a2dn6e
  • Numonyx/ST Micro
  • IC FLASH 512MBIT 48TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 512M (64M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND512W3A2CZA6E

  • nand512w3a2cza6e
  • Numonyx/ST Micro
  • IC FLASH 512MBIT 63VFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 512M (64M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 63-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND512W3A2BZA6E

  • nand512w3a2bza6e
  • STMicroelectronics
  • IC FLASH 512MBIT 63VFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 512M (64M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 63-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND512W3A2CN6E

  • nand512w3a2cn6e
  • Numonyx/ST Micro
  • IC FLASH 512MBIT 48TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 512M (64M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND512W3A2BN6F

  • nand512w3a2bn6f
  • STMicroelectronics
  • IC FLASH 512MBIT 48TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 512M (64M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND512W3A2BN6E

  • nand512w3a2bn6e
  • STMicroelectronics
  • IC FLASH 512MBIT 48TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 512M (64M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND512R3A2DZA6E

  • nand512r3a2dza6e
  • Numonyx/ST Micro
  • IC FLASH 512MBIT 63VFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 512M (64M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.95 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 63-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND512W3A0AN6E

  • nand512w3a0an6e
  • STMicroelectronics
  • IC FLASH 512MBIT 48TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 512M (64M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND512W3A0AV6E

  • nand512w3a0av6e
  • STMicroelectronics
  • IC FLASH 512MBIT 48WSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 512M (64M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-WSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND512W3A0AN6

  • nand512w3a0an6
  • STMicroelectronics
  • IC FLASH 512MBIT 48TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 512M (64M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND512R3A3AZA6E

  • nand512r3a3aza6e
  • STMicroelectronics
  • IC FLASH 512MBIT 55VFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 512M (64M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.95 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 55-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND512R3A2SZA6E

  • nand512r3a2sza6e
  • GLENAIR
  • 0E FLASH NAND 512MBIT VFBGA63

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND512R3A2CZA6E

  • nand512r3a2cza6e
  • Numonyx/ST Micro
  • IC FLASH 512MBIT 63VFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 512M (64M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.95 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 63-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND512R3A2BZA6E

  • nand512r3a2bza6e
  • STMicroelectronics
  • IC FLASH 512MBIT 63VFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 512M (64M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.95 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 63-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND512R3A2AZA6E

  • nand512r3a2aza6e
  • STMicroelectronics
  • IC FLASH 512MBIT 55VFBGA Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 512M (64M x 8) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.95 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 55-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NAND256W4A0AN6E

  • nand256w4a0an6e
  • STMicroelectronics
  • IC FLASH 256MBIT 48TSOP Тип памяти: FLASH · Тип памяти: FLASH - Nand · Объем памяти: 256M (16Mx16) · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь