Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

MT48H16M32L2F5-10 TR

  • mt48h16m32l2f5.10.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC SDRAM 512MBIT 100MHZ 90VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: Mobile SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 90-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT48H16M32L2F5-10 IT TR

  • mt48h16m32l2f5.10.it.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC SDRAM 512MBIT 100MHZ 90VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: Mobile SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 90-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT48H16M32L2B5-8 IT TR

  • mt48h16m32l2b5.8.it.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC SDRAM 512MBIT 125MHZ 90VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: Mobile SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 125MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 90-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT48H16M32L2F5-10

  • mt48h16m32l2f5.10
  • Micron Technology Inc
  • IC SDRAM 512MBIT 100MHZ 90VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: Mobile SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 90-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT48H16M32L2B5-8 IT

  • mt48h16m32l2b5.8.it
  • Micron Technology Inc
  • IC SDRAM 512MBIT 125MHZ 90VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: Mobile SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 125MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 90-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT48H16M32L2B5-10 IT

  • mt48h16m32l2b5.10.it
  • Micron Technology Inc
  • IC SDRAM 512MBIT 100MHZ 90VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: Mobile SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 90-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT48H16M32L2B5-10 TR

  • mt48h16m32l2b5.10.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC SDRAM 512MBIT 100MHZ 90VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: Mobile SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 90-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT48H16M32L2B5-10 IT TR

  • mt48h16m32l2b5.10.it.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC SDRAM 512MBIT 100MHZ 90VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: Mobile SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 90-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT48H16M32L2B5-8

  • mt48h16m32l2b5.8
  • Micron Technology Inc
  • IC SDRAM 512MBIT 125MHZ 90VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: Mobile SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 125MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 90-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT48H16M32L2B5-10

  • mt48h16m32l2b5.10
  • Micron Technology Inc
  • IC SDRAM 512MBIT 100MHZ 90VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: Mobile SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 90-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT48H16M16LFBF-75 IT:H TR

  • mt48h16m16lfbf.75.it.h.tr
  • MICRON
  • 16MX16 MOBILE SDRAM PLASTIC IND TEMP GREEN VFBGA 1.8V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT48H16M16LFBF-75 IT:H

  • mt48h16m16lfbf.75.it.h
  • GLENAIR
  • VFBGA 54/I°/16MX16 MOBILE SDRAM PLASTIC IND TEMP PBF VFBGA 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT48H16M16LFBF-75 IT:G TR

  • mt48h16m16lfbf.75.it.g.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC SDRAM 256MBIT 132MHZ 54VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: Mobile SDRAM · Объем памяти: 256M (16Mx16) · Скорость: 132MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.95 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 54-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT48H16M16LFBF-75 AT:G TR

  • mt48h16m16lfbf.75.at.g.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC SDRAM 256MBIT 132MHZ 54VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: Mobile SDRAM · Объем памяти: 256M (16Mx16) · Скорость: 132MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.95 V · Рабочая температура: -40°C ~ 105°C · Корпус: 54-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT48H16M16LFBF-75:G TR

  • mt48h16m16lfbf.75.g.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC SDRAM 256MBIT 132MHZ 54VFBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: Mobile SDRAM · Объем памяти: 256M (16Mx16) · Скорость: 132MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.95 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 54-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT48H16M16LFBF-75:H

  • mt48h16m16lfbf.75.h
  • Micron Technology Inc
  • SDRAM 256M-BIT 1.8V 54-PIN VFBGA Корпус: 54-VFBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT48H16M16LFBF-6 IT:H

  • mt48h16m16lfbf.6.it.h
  • MICRON
  • 16MX16 MOBILE SDRAM PLASTIC IND TEMP PBF VFBGA 1.8V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT48H16M16LFBF-6:H

  • mt48h16m16lfbf.6.h
  • MICRON
  • VFBGA 54/C

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT47R64M16HR-3:H

  • mt47r64m16hr.3.h
  • MICRON
  • 64MX16 DDR2 SDRAM PLASTIC PBF FBGA 1.55V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT47R128M8CF-25:H

  • mt47r128m8cf.25.h
  • MICRON
  • 128MX8 DDR2 SDRAM PLASTIC PBF FBGA 1.55V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь