Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

MT46V32M16BN-75 IT:C TR

  • mt46v32m16bn.75.it.c.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC DDR SDRAM 512MBIT 60FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: DDR SDRAM · Объем памяти: 512M (32Mx16) · Скорость: 7.5ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 60-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V32M16BN-75 IT:C

  • mt46v32m16bn.75.it.c
  • Micron Technology Inc
  • IC DDR SDRAM 512MBIT 60FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: DDR SDRAM · Объем памяти: 512M (32Mx16) · Скорость: 7.5ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 60-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V32M16BN-75:C TR

  • mt46v32m16bn.75.c.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC DDR SDRAM 512MBIT 60FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: DDR SDRAM · Объем памяти: 512M (32Mx16) · Скорость: 7.5ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 60-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V32M16BN-75:C

  • mt46v32m16bn.75.c
  • Micron Technology Inc
  • IC DDR SDRAM 512MBIT 60FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: DDR SDRAM · Объем памяти: 512M (32Mx16) · Скорость: 7.5ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 60-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V32M16BN-6:F TR

  • mt46v32m16bn.6.f.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: DDR SDRAM · Объем памяти: 512M (32Mx16) · Скорость: 6ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 60-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V32M16BN-6 IT:F

  • mt46v32m16bn.6.it.f
  • MIN
  • SDRAM 512MB  32Mx16  7.5NS  -40/+85 2,5V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V32M16BN-6 IT:F TR

  • mt46v32m16bn.6.it.f.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: DDR SDRAM · Объем памяти: 512M (32Mx16) · Скорость: 6ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 60-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V32M16BN-6:C TR

  • mt46v32m16bn.6.c.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: DDR SDRAM · Объем памяти: 512M (32Mx16) · Скорость: 6ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 60-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V32M16BN-6:C

  • mt46v32m16bn.6.c
  • Micron Technology Inc
  • IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: DDR SDRAM · Объем памяти: 512M (32Mx16) · Скорость: 6ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 60-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V32M16BN-5B L IT:F

  • mt46v32m16bn.5b.l.it.f
  • MICRON
  • 32MX16 DDR SDRAM PLASTIC LOW POWER IND TEMP PBF FBGA 2.6V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V32M16BN-5B IT:F

  • mt46v32m16bn.5b.it.f
  • GLENAIR
  • FBGA 60/I°/32MX16 DDR SDRAM PLASTIC IND TEMP BGA 2.6V DDR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V32M16BN-5B:F TR

  • mt46v32m16bn.5b.f.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: DDR SDRAM · Объем памяти: 512M (32Mx16) · Скорость: 5ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.5 V ~ 2.7 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 60-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V32M16BN-5B:C TR

  • mt46v32m16bn.5b.c.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: DDR SDRAM · Объем памяти: 512M (32Mx16) · Скорость: 5ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.5 V ~ 2.7 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 60-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V32M16BN-5B:C

  • mt46v32m16bn.5b.c
  • Micron Technology Inc
  • IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: DDR SDRAM · Объем памяти: 512M (32Mx16) · Скорость: 5ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.5 V ~ 2.7 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 60-FBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V256M4TG-75:A TR

  • mt46v256m4tg.75.a.tr
  • MICRON
  • IC SDRAM DDR 1GB 66TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V256M4TG-6T:A TR

  • mt46v256m4tg.6t.a.tr
  • MICRON
  • IC SDRAM DDR 1GB 66TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V256M4TG-75:A

  • mt46v256m4tg.75.a
  • MICRON
  • IC SDRAM DDR 1GB 66TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V256M4P-75:A

  • mt46v256m4p.75.a
  • Micron Technology Inc
  • IC DDR SDRAM 1GBIT 7.5NS 66TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: DDR SDRAM · Объем памяти: 1G (256M x 4) · Скорость: 7.5ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 66-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V256M4P-75:A TR

  • mt46v256m4p.75.a.tr
  • Micron Technology Inc
  • IC DDR SDRAM 1GBIT 7.5NS 66TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: DDR SDRAM · Объем памяти: 1G (256M x 4) · Скорость: 7.5ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 66-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MT46V256M4TG-6T:A

  • mt46v256m4tg.6t.a
  • Micron Technology Inc
  • IC DDR SDRAM 1GBIT 6NS 66TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: DDR SDRAM · Объем памяти: 1G (256M x 4) · Скорость: 6ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 66-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь