Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

IS61NLP102418-200B3LI-TR

  • is61nlp102418.200b3li.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 18M (1M x 18) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 165-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NLF51236-7.5TQLI-TR

  • is61nlf51236.7.5tqli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 18MBIT 117MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 117MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NLP102418-200B3LI

  • is61nlp102418.200b3li
  • ISSI
  • Стат. ОЗУ 18M (1Mx18) 200MHz Sync Стат. ОЗУ 3.3v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NLF51236-7.5TQLI

  • is61nlf51236.7.5tqli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 18MBIT 117MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 117MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NLF51218A-7.5TQLI-TR

  • is61nlf51218a.7.5tqli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 9MBIT 117MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 117MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NLF51218A-7.5TQLI

  • is61nlf51218a.7.5tqli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 9MBIT 117MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 117MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NLF51218A-7.5B3I-TR

  • is61nlf51218a.7.5b3i.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 9MBIT 117MHZ 165BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 117MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 165-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NLF51218A-7.5B3I

  • is61nlf51218a.7.5b3i
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 9MBIT 117MHZ 165BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (512K x 18) · Скорость: 117MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 165-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NLF25636A-7.5B2I

  • is61nlf25636a.7.5b2i
  • ISSI
  • Стат. ОЗУ 8M (256Kx36) 7.5ns Sync Стат. ОЗУ 3.3v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NLF25636A-7.5B2I-TR

  • is61nlf25636a.7.5b2i.tr
  • ISSI
  • Стат. ОЗУ 8M (256Kx36) 7.5ns Sync Стат. ОЗУ 3.3v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NLF102436A-7.5TQLI-TR

  • is61nlf102436a.7.5tqli.tr
  • ISSI
  • DRAM 36M (2Mx18) 7.5ns Sync SRAM 3.3v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NLF102436A-7.5TQLI

  • is61nlf102436a.7.5tqli
  • ISSI
  • Стат. ОЗУ 36M (2Mx18) 7.5ns Sync Стат. ОЗУ 3.3v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV6416-8KL-TR

  • is61lv6416.8kl.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 8NS 44SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 8ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV6416-8KL

  • is61lv6416.8kl
  • ISSI
  • Стат. ОЗУ 1M (64Kx16) 8ns Async Стат. ОЗУ 3.3v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV6416-10TLI

  • is61lv6416.10tli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV6416-10TL

  • is61lv6416.10tl
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV6416-10TI

  • is61lv6416.10ti
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV6416-10T

  • is61lv6416.10t
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV6416-10BLI

  • is61lv6416.10bli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 48MBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-MBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV5128AL-10TLI-TR

  • is61lv5128al.10tli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь