Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

IS42S32160C-6BL

  • is42s32160c.6bl
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 512MBIT 166MHZ 90BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 166MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 90-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S32160C-6BI-TR

  • is42s32160c.6bi.tr
  • ISSI
  • DRAM 512M (16Mx32) 166MHz SDRAM, 3.3v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S32160C-6BI

  • is42s32160c.6bi
  • ISSI
  • DRAM 512M (16Mx32) 166MHz SDRAM, 3.3v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S32160B-7TLI-TR

  • is42s32160b.7tli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 512MBIT 143MHZ 86TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 86-TSOPII

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S32160B-7TL-TR

  • is42s32160b.7tl.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 512MBIT 143MHZ 86TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 86-TSOPII

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S32160B-7TLI

  • is42s32160b.7tli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 512MBIT 143MHZ 86TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 86-TSOPII

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S32160B-7BL-TR

  • is42s32160b.7bl.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 512MBIT 143MHZ 90BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 90-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S32160B-7BLI

  • is42s32160b.7bli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 512MBIT 143MHZ 90BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 90-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S32160B-7BLI-TR

  • is42s32160b.7bli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 512MBIT 143MHZ 90BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 90-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S32160B-75TL-TR

  • is42s32160b.75tl.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 86TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 133MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 86-TSOPII

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S32160B-7BL

  • is42s32160b.7bl
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 512MBIT 143MHZ 90BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 90-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S32160B-75TLI-TR

  • is42s32160b.75tli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 86TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 133MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 86-TSOPII

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S32160B-75TLI

  • is42s32160b.75tli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 86TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 133MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 86-TSOPII

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S32160B-75ETLI

  • is42s32160b.75etli
  • ISSI
  • DRAM 512M 16Mx32 133Mhz SDRAM, 3.3v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S32160B-75TL

  • is42s32160b.75tl
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 86TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 133MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 86-TSOPII

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S32160B-75ETLI-TR

  • is42s32160b.75etli.tr
  • ISSI
  • DRAM 512M 16Mx32 133Mhz SDRAM, 3.3v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S32160B-75EBLI-TR

  • is42s32160b.75ebli.tr
  • ISSI
  • DRAM 512M 16Mx32 133Mhz SDRAM, 3.3v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S32160B-75EBLI

  • is42s32160b.75ebli
  • ISSI
  • DRAM 512M 16Mx32 133Mhz SDRAM, 3.3v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S32160B-75BL-TR

  • is42s32160b.75bl.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 90BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 512M (16M x 32) · Скорость: 133MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 90-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS93C66A-2GRLI

  • is93c66a.2grli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC EEPROM 4KBIT 3MHZ 8SOIC Тип памяти: EEPROMs - Serial · Тип памяти: EEPROM · Объем памяти: 4K (512 x 8 or 256 x 16) · Скорость: 1MHz, 2MHz, 3MHz · Интерфейс подключения: Microwire, 3-Wire Serial · Напряжение питания: 1.8 V ~ 5.5 V · Рабочая температура:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь