Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

IS42S16400D-6BLI-TR

  • is42s16400d.6bli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 60BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 64M (4M x 16) · Скорость: 166MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 60-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61QDB42M18-250M3

  • is61qdb42m18.250m3
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, QUAD · Объем памяти: 36M (2M x 18) · Скорость: 250MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.71 V ~ 1.89 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16400D-6BLI

  • is42s16400d.6bli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 60BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 64M (4M x 16) · Скорость: 166MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 60-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61QDB41M36-250M3

  • is61qdb41m36.250m3
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, QUAD · Объем памяти: 36M (1M x 36) · Скорость: 250MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.71 V ~ 1.89 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61QDB22M18-250M3L

  • is61qdb22m18.250m3l
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, QUAD · Объем памяти: 36M (2M x 18) · Скорость: 250MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.71 V ~ 1.89 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61QDB22M18-250M3

  • is61qdb22m18.250m3
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, QUAD · Объем памяти: 36M (2M x 18) · Скорость: 250MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.71 V ~ 1.89 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61QDB21M36-250M3L

  • is61qdb21m36.250m3l
  • ISSI
  • Стат. ОЗУ 36M (1Mx36) 250ns QUAD Sync Стат. ОЗУ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61QDB21M36-250M3

  • is61qdb21m36.250m3
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous, QUAD · Объем памяти: 36M (1M x 36) · Скорость: 250MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.71 V ~ 1.89 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NVP51236-200B3I-TR

  • is61nvp51236.200b3i.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NVP51236-200B3I

  • is61nvp51236.200b3i
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NVP25636A-200TQLI-TR

  • is61nvp25636a.200tqli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (256K x 36) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NVP25636A-200TQLI

  • is61nvp25636a.200tqli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 9M (256K x 36) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NVF51236-7.5TQI-TR

  • is61nvf51236.7.5tqi.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 18MBIT 117MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 117MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NVF51236-7.5TQI

  • is61nvf51236.7.5tqi
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 18MBIT 117MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 117MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NLP51236-200TQLI

  • is61nlp51236.200tqli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NLP6432A-200TQLI-TR

  • is61nlp6432a.200tqli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 2MBIT 200MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 2M (64K x 32) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NLP51236-200TQLI-TR

  • is61nlp51236.200tqli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NLP6432A-200TQLI

  • is61nlp6432a.200tqli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 2MBIT 200MHZ 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 2M (64K x 32) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NLP51236-200B3-TR

  • is61nlp51236.200b3.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 165

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61NLP51236-200B3

  • is61nlp51236.200b3
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Synchronous · Объем памяти: 18M (512K x 36) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 165

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь