Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

IS42S16160G-6TL-TR

  • is42s16160g.6tl.tr
  • ISSI
  • DRAM 256M 16Mx16 166MHz SDRAM, 3.3v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV6416-10TI-TR

  • is61lv6416.10ti.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16160G-6TLI-TR

  • is42s16160g.6tli.tr
  • ISSI
  • DRAM 256M 16Mx16 166MHz SDRAM, 3.3v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV6416-10TLI-TR

  • is61lv6416.10tli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV6416-10KLI-TR

  • is61lv6416.10kli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 44SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV6416-10KLI

  • is61lv6416.10kli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 10NS 44SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16160G-6TL

  • is42s16160g.6tl
  • ISSI
  • DRAM 256M 16Mx16 166MHz SDRAM, 3.3v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV632A-6TQI-TR

  • is61lv632a.6tqi.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (32K x 32) · Скорость: 6ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV5128AL-10T-TR

  • is61lv5128al.10t.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16160G-6BLI-TR

  • is42s16160g.6bli.tr
  • ISSI
  • DRAM 256M 16Mx16 166Mhz SDRAM, 3.3v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV5128AL-10TI

  • is61lv5128al.10ti
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV632A-6TQI

  • is61lv632a.6tqi
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (32K x 32) · Скорость: 6ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16160G-6BL

  • is42s16160g.6bl
  • ISSI
  • DRAM 256M 16Mx16 166Mhz SDRAM, 3.3v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16160G-6BLI

  • is42s16160g.6bli
  • ISSI
  • DRAM 256M 16Mx16 166Mhz SDRAM, 3.3v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV5128AL-10K-TR

  • is61lv5128al.10k.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 36-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV5128AL-10TI-TR

  • is61lv5128al.10ti.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16160D-7TL-TR

  • is42s16160d.7tl.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 256M (16Mx16) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 54-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16160D-7TLI-TR

  • is42s16160d.7tli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 256M (16Mx16) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 54-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16160D-7TL

  • is42s16160d.7tl
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 256M (16Mx16) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 54-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV5128AL-10KLI-TR

  • is61lv5128al.10kli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 36-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь