Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

IS61LV25616AL-10TI-TR

  • is61lv25616al.10ti.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP I

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV25616AL-10TI

  • is61lv25616al.10ti
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP I

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV25616AL-10LQI-TR

  • is61lv25616al.10lqi.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 44LQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-LQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV25616AL-10K-TR

  • is61lv25616al.10k.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16160B-7BL-TR

  • is42s16160b.7bl.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 256M (16Mx16) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 54-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV25616AL-10BI-TR

  • is61lv25616al.10bi.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 48MBGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 48-MBGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16160B-7BLI-TR

  • is42s16160b.7bli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 256M (16Mx16) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 54-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16160B-7B-TR

  • is42s16160b.7b.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 256M (16Mx16) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 54-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV25616AL-10K

  • is61lv25616al.10k
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 4M (256K x 16) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 44-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16160B-7BLI

  • is42s16160b.7bli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 256M (16Mx16) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 54-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16160B-7BL

  • is42s16160b.7bl
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 256M (16Mx16) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 54-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV256-15TL

  • is61lv256.15tl
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 256KBIT 15NS 28TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 256K (32K x 8) · Скорость: 15ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 28-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV256-12TLI-TR

  • is61lv256.12tli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 256K (32K x 8) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 28-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16160B-7BI-TR

  • is42s16160b.7bi.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 256M (16Mx16) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 54-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16160B-7B

  • is42s16160b.7b
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 256M (16Mx16) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 54-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16160B-7BI

  • is42s16160b.7bi
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54BGA Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 256M (16Mx16) · Скорость: 143MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 54-BGA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16160B-6TLI-TR

  • is42s16160b.6tli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 256M (16Mx16) · Скорость: 166MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 54-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42S16160B-6TLI

  • is42s16160b.6tli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 256M (16Mx16) · Скорость: 166MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 54-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV12824-10TQLI

  • is61lv12824.10tqli
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 3MBIT 10NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 3M (128K x 24) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61LV12824-10TQI-TR

  • is61lv12824.10tqi.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 3MBIT 10NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 3M (128K x 24) · Скорость: 10ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь