Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

IS61C6416AL-12TI-TR

  • is61c6416al.12ti.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61C6416AL-12TI

  • is61c6416al.12ti
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP II

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61C6416AL-12KI-TR

  • is61c6416al.12ki.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (64K x 16) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61C632A-7TQ-TR

  • is61c632a.7tq.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 7NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (32K x 32) · Скорость: 7ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61C632A-6TQI-TR

  • is61c632a.6tqi.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (32K x 32) · Скорость: 6ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42RM32800D-75BLI

  • is42rm32800d.75bli
  • ISSI
  • DRAM 256M (8Mx32) 133MHz Mobile SDRAM, 2.5v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61C632A-6TQI

  • is61c632a.6tqi
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (32K x 32) · Скорость: 6ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 100-TQFP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42RM32800D-75BL

  • is42rm32800d.75bl
  • ISSI
  • DRAM 256M (8Mx32) 133MHz Mobile SDRAM, 2.5v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61C3216AL-12TLI-TR

  • is61c3216al.12tli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 512KBIT 12NS 44TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 512K (32K x 16) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 44-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42RM32400G-75BLI-TR

  • is42rm32400g.75bli.tr
  • ISSI
  • DRAM 128M (4Mx32) 133MHz Mobile SDRAM, 2.5v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61C1024AL-12TI-TR

  • is61c1024al.12ti.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-TSOP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42RM32160C-75BLI

  • is42rm32160c.75bli
  • ISSI
  • DRAM 512M (16Mx32) 133MHz Mobile SDRAM, 2.5v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42RM16800G-75BLI

  • is42rm16800g.75bli
  • ISSI
  • DRAM 128M (8Mx16) 133MHz Mobile SDRAM, 2.5v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61C1024AL-12KI

  • is61c1024al.12ki
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS61C1024AL-12KI-TR

  • is61c1024al.12ki.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ Тип памяти: RAM · Тип памяти: SRAM - Asynchronous · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 12ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-SOJ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42RM32160C-75BL

  • is42rm32160c.75bl
  • ISSI
  • DRAM 512M (16Mx32) 133MHz Mobile SDRAM, 2.5v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42RM16800G-75BLI-TR

  • is42rm16800g.75bli.tr
  • ISSI
  • DRAM 128M (8Mx16) 133MHz Mobile SDRAM, 2.5v

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS43R16800A-5TL-TR

  • is43r16800a.5tl.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: DDR SDRAM · Объем памяти: 128M (8Mx16) · Скорость: 200MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 2.5 V ~ 2.7 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 66-TSOPII

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42VS16100C1-10T-TR

  • is42vs16100c1.10t.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 16MBIT 100MHZ 50TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 50-TSOPII

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IS42VS16100C1-10TLI-TR

  • is42vs16100c1.10tli.tr
  • ISSI, Integrated Silicon Solut
  • IC SDRAM 16MBIT 100MHZ 50TSOP Тип памяти: RAM · Тип памяти: SDRAM · Объем памяти: 16M (1M x 16) · Скорость: 100MHz · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 50-TSOPII

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь