Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Всего товаров: 2917

PBRP123ET,215

  • pbrp123et.215
  • NXP Semiconductors
  • TRANS PNP W/RES 40V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 300mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBRP113ZT,215

  • pbrp113zt.215
  • NXP Semiconductors
  • TRANS PNP W/RES 40V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 300mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBRP113ET,215

  • pbrp113et.215
  • NXP Semiconductors
  • TRANS PNP W/RES 40V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBRN123YT,215

  • pbrn123yt.215
  • NXP Semiconductors
  • TRANS NPN W/RES 40V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 480 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBRN113ZT,215

  • pbrn113zt.215
  • NXP Semiconductors
  • TRANS NPN W/RES 40V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 16

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBRN123ET,215

  • pbrn123et.215
  • NXP Semiconductors
  • TRANS NPN W/RES 40V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 300mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBRN113ET,215

  • pbrn113et.215
  • NXP Semiconductors
  • TRANS NPN W/RES 40V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 300mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 220

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSVMUN5132T1G

  • nsvmun5132t1g
  • ON Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) SS BR XSTR PNP 50V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSVMUN2233T1G

  • nsvmun2233t1g
  • ON Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) SS SC59 BR XTSR NPN 50V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSVMUN2212T1G

  • nsvmun2212t1g
  • ON Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) SS SC59 BR XSTR PNP PBFR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSVMMUN2232LT1G

  • nsvmmun2232lt1g
  • ON Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) SS BR XSTR NPN 50V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSVMMUN2132LT1G

  • nsvmmun2132lt1g
  • ON Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) SS BR XSTR PNP 50V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSBC144WF3T5G

  • nsbc144wf3t5g
  • ON Semiconductor
  • TRANS DUAL PBRT PNP SOT-1123

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSBC144EF3T5G

  • nsbc144ef3t5g
  • ON Semiconductor
  • TRANS BRT NPN DGTL SOT-1123 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSBC143ZF3T5G

  • nsbc143zf3t5g
  • ON Semiconductor
  • TRANS DUAL PBRT PNP SOT-1123

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSBC143EF3T5G

  • nsbc143ef3t5g
  • ON Semiconductor
  • TRANS DUAL PBRT PNP SOT-1123

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSBC124EF3T5G

  • nsbc124ef3t5g
  • ON Semiconductor
  • TRANS DUAL PBRT PNP SOT-1123

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSBC123TF3T5G

  • nsbc123tf3t5g
  • ON Semiconductor
  • TRANS DUAL PBRT PNP SOT-1123

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSBC123JF3T5G

  • nsbc123jf3t5g
  • ON Semiconductor
  • TRANS DUAL PBRT PNP SOT-1123

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSBC115TF3T5G

  • nsbc115tf3t5g
  • ON Semiconductor
  • TRANS DUAL PBRT PNP SOT-1123

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные с предварительным смещением представляют собой полупроводниковые устройства, в которых встроены резисторы для создания постоянного напряжения смещения. Это упрощает их использование в схемах и снижает количество внешних компонентов. Эти транзисторы обеспечивают стабильное усиление и переключение сигналов, а также высокую надежность и эффективность работы.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в аудиоусилителях, радиопередатчиках и других устройствах, требующих точного и стабильного усиления сигналов.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Стабилизаторы напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения постоянного уровня напряжения в различных устройствах.
  • Преобразователи сигналов: используются в схемах преобразования аналоговых сигналов в цифровые и наоборот.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.

Совместимость

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем усиления и управления. Благодаря своей универсальности, эти транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением играют важную роль в инженерных проектах, предоставляя стабильное и эффективное управление электрическими сигналами. Эти компоненты отличаются высокой надежностью и точностью, что делает их незаменимыми для множества приложений в электронике. Благодаря своим уникальным характеристикам, они помогают оптимизировать работу различных устройств, обеспечивая надежную работу и высокую производительность.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь