Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
Всего товаров: 2917
NSBC114YF3T5G
- nsbc114yf3t5g
- ON Semiconductor
- TRANS NBRT PNP 50V SOT-1123 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NSBC114TF3T5G
- nsbc114tf3t5g
- ON Semiconductor
- TRANS DUAL PBRT PNP SOT-1123
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NSBC114EF3T5G
- nsbc114ef3t5g
- ON Semiconductor
- TRANS BRT PNP DGTL SOT-1123 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NSBA144WF3T5G
- nsba144wf3t5g
- ON Semiconductor
- TRANS DUAL PBRT PNP SOT-1123
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NSBA144EF3T5G
- nsba144ef3t5g
- ON Semiconductor
- TRANS BRT PNP DGTL SOT-1123 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NSBA143ZF3T5G
- nsba143zf3t5g
- ON Semiconductor
- TRANS DUAL PBRT PNP SOT-1123
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NSBA143EF3T5G
- nsba143ef3t5g
- ON Semiconductor
- TRANS DUAL PBRT PNP SOT-1123
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NSBA124EF3T5G
- nsba124ef3t5g
- ON Semiconductor
- TRANS DUAL PBRT PNP SOT-1123
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NSBA123JF3T5G
- nsba123jf3t5g
- ON Semiconductor
- TRANS DUAL PBRT PNP SOT-1123
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NSBA123TF3T5G
- nsba123tf3t5g
- ON Semiconductor
- TRANS DUAL PBRT PNP SOT-1123
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NSBA115TF3T5G
- nsba115tf3t5g
- ON Semiconductor
- TRANS DUAL PBRT PNP SOT-1123
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NSBA114YF3T5G
- nsba114yf3t5g
- ON Semiconductor
- TRANS NBRT PNP 50V SOT-1123 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NSBA114TF3T5G
- nsba114tf3t5g
- ON Semiconductor
- TRANS DUAL PBRT PNP SOT-1123
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NSBA114EF3T5G
- nsba114ef3t5g
- ON Semiconductor
- TRANS BRT PNP DGTL SOT-1123 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NSB9435T1G
- nsb9435t1g
- ON Semiconductor
- TRANS BRT PNP 30V BIP SOT223-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 20mA, 800mA · Ток коллектора
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MUN5237T1G
- mun5237t1g
- ON Semiconductor
- TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MUN5237T1
- mun5237t1
- ON Semiconductor
- TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MUN5236T1
- mun5236t1
- ON Semiconductor
- TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, I
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MUN5236T1G
- mun5236t1g
- ON Semiconductor
- TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, I
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MUN5235T1G
- mun5235t1g
- ON Semiconductor
- TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, I
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные с предварительным смещением представляют собой полупроводниковые устройства, в которых встроены резисторы для создания постоянного напряжения смещения. Это упрощает их использование в схемах и снижает количество внешних компонентов. Эти транзисторы обеспечивают стабильное усиление и переключение сигналов, а также высокую надежность и эффективность работы.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в аудиоусилителях, радиопередатчиках и других устройствах, требующих точного и стабильного усиления сигналов.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Стабилизаторы напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения постоянного уровня напряжения в различных устройствах.
- Преобразователи сигналов: используются в схемах преобразования аналоговых сигналов в цифровые и наоборот.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем усиления и управления. Благодаря своей универсальности, эти транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением играют важную роль в инженерных проектах, предоставляя стабильное и эффективное управление электрическими сигналами. Эти компоненты отличаются высокой надежностью и точностью, что делает их незаменимыми для множества приложений в электронике. Благодаря своим уникальным характеристикам, они помогают оптимизировать работу различных устройств, обеспечивая надежную работу и высокую производительность.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК