Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
MMBT3904_D87Z
- mmbt3904.d87z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS GP NPN 40V 200MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBT3640_D87Z
- mmbt3640.d87z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS SW PNP 12V 200MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBT2907_D87Z
- mmbt2907.d87z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS GP PNP 60V 800MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE340STU
- mje340stu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 300V 500MA TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V · Мощность макcимальная: 20Вт · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Throug
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCH6202-TL-E
- mch6202.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS PNP/NPN 30V 1.5A MCPH6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 15mA, 750mA · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V · Мощность макcималь
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCH6102-TL-E
- mch6102.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS PNP/NPN 30V 1.5A MCPH6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V · Мощность макcималь
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
KSE13003H3ASTU
- kse13003h3astu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 700V 1.5A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
KSD880Y
- ksd880y
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 60V 3A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная: 30
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
KSD362RTU
- ksd362rtu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 70V 5A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 70V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V · Мощность макcимальная: 40Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
KSD1691GSTU
- ksd1691gstu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 60V 5A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 1.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
KSC5030FRTU
- ksc5030frtu
- Fairchild Semiconductor
- TRANS FAST SW 800V TO-3PF Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 800В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 6A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V · Мощность макcимальная: 100Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
KSB834Y
- ksb834y
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 60V 3A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная: 1.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
KSA1220AYSTSTU
- ksa1220ayststu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 160V 1.2A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1.2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HD1760JL
- hd1760jl
- STMicroelectronics
- TRANS NPN 800V HI DEF/CRT TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 800В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 4.5A, 18A · Ток коллектора (макс): 36A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HD1750JL
- hd1750jl
- STMicroelectronics
- TRANS NPN 800V HI DEF/CRT TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 800В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A · Ток коллектора (макс): 24A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HD1530JL
- hd1530jl
- STMicroelectronics
- TRANS NPN 700V HI DEF/CRT TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 700В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.25A, 13A · Ток коллектора (макс): 26A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FSB6714
- fsb6714
- Fairchild Semiconductor
- BIP NPN PWR 30V 3-SSOT Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Тип транзистора: NPN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJPF13007H1TTU
- fjpf13007h1ttu
- Fairchild Semiconductor
- TRANS NPN FAST 400V 8A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A · Ток коллектора (макс): 8A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V · Мощность макcимальная: 40Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJP5554
- fjp5554
- Fairchild Semiconductor
- TRANS HV FAST SW 400V 4A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJI5603DTU
- fji5603dtu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 800V 3A I2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 800В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК