Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
CPH3238-TL-E
- cph3238.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS NPN 30V 5A CPH3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 50mA, 2.5A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 900мВ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPH3237-TL-E
- cph3237.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS NPN 15V 6A CPH3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 60mA, 3A · Ток коллектора (макс): 6A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 900мВт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPH3148-TL-E
- cph3148.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS PNP 100V 2A CPH3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 900м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPH3145-TL-E
- cph3145.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS PNP/NPN 50V 2A CPH3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUT12AX,127
- but12ax.127
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 1000V 8A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 5A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUT11APX-1200,127
- but11apx.1200.127
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 1200V 6A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 550V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A · Ток коллектора (макс): 6A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 1mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUT11AI,127
- but11ai.127
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 1000V 5A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 330mA, 2.5A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BULT3P3
- bult3p3
- STMicroelectronics
- TRANS NPN FAST SWITCHING Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BULD741T4
- buld741t4
- STMicroelectronics
- TRANS NPN HV FAST 400V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BULD128DT4
- buld128dt4
- STMicroelectronics
- TRANS NPN FAST SWITCHING DPAK Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BULB903EDT4
- bulb903edt4
- STMicroelectronics
- TRANS NPN FAST SWITCHING Тип транзистора: NPN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BULB742C-1
- bulb742c.1
- STMicroelectronics
- TRANSISOTR NPN 400V 4A I2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 48
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BULB7216-1
- bulb7216.1
- STMicroelectronics
- TRANSISOTR NPN 700V 3A I2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 700В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 800mA · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUL642D2G
- bul642d2g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN BIPO 75W 3A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 440V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Мощность макcимальная: 75Вт · Тип транзистора: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSR50_J35Z
- bsr50.j35z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS NPN DARL 45V 1.5A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 150mA, 10V · Мощность макcим
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP 61 E6327
- bsp.61.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR DARL PNP 60V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 550µA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP 60 E6327
- bsp.60.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR DARL PNP 45V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 550µA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP 52 E6327
- bsp.52.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR DARL NPN 80V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP 51 E6327
- bsp.51.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR DARL NPN 60V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP 50 E6327
- bsp.50.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR DARL NPN 45V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК