Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
BFN 26 E6433
- bfn.26.e6433
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 300V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFN 26 E6327
- bfn.26.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 300V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF840,235
- bf840.235
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 40V 25MA SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Ток коллектора (макс): 25mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 380MHz · Тип транзистора: NPN · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF550,235
- bf550.235
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 40V 25MA SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Ток коллектора (макс): 25mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 325MHz · Тип транзистора: PNP · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 517 E6327
- bf.517.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 25mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF423,116
- bf423.116
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 250V 50MA SOT54 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF422,116
- bf422.116
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 250V 50MA SOT54 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF370,112
- bf370.112
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 15V 100MA SOT54 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 500MHz · Тип транзистора: NPN ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BDP 954 E6327
- bdp.954.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR PNP AF 100V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200µA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BDP 949 E6327
- bdp.949.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN AF 60V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BD241A-A
- bd241a.a
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN 60V 3A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BD238STU
- bd238stu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 80V 2A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 25В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BCX799_J35Z
- bcx799.j35z
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP GP TO-92 Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BCX 71J E6327
- bcx.71j.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR PNP AF 45V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 250µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BCX 71H E6327
- bcx.71h.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR PNP AF 45V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 250µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BCX 71G E6327
- bcx.71g.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR PNP AF 45V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 250µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BCX 70J E6433
- bcx.70j.e6433
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 250µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BCX 70J E6327
- bcx.70j.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 250µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BCX 70H E6433
- bcx.70h.e6433
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 250µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BCX 70H E6327
- bcx.70h.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 250µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК