Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
BC183LC_J35Z
- bc183lc.j35z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS BIPO GP NPN 30V 100MA TO-9 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10µA, 5V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BC183_J35Z
- bc183.j35z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS BIPO GP NPN 30V 100MA TO-9 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10µA, 5V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BC183C_J35Z
- bc183c.j35z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS BIPO GP NPN 30V 100MA TO-9 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BC182LA_J35Z
- bc182la.j35z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS BIPO GP NPN 50V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
50A02MH-TL-E
- 50a02mh.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS PNP 50V 0.5A MCPH3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
30C01SS-TL-E
- 30c01ss.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS NPN 30V 0.4A SSFP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 400mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
30A01SS-TL-E
- 30a01ss.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS PNP 30V 0.3A SSFP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 300mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2STW1695
- 2stw1695
- STMicroelectronics
- TRANS PNP HP BIPO 140V TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A · Ток коллектора (макс): 10A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2STP535FP
- 2stp535fp
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR BIPOLAR TO-220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 180V · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 37W · Тип транзистора
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2STN2550
- 2stn2550
- STMicroelectronics
- IC TRANS PNP 50V 5A SOT 223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2A, 2V · Мощность макcимальная: 1.6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2STN2540-A
- 2stn2540.a
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR PNP BIPOLAR SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 2V · Мощность макcимальная: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2STF2550
- 2stf2550
- STMicroelectronics
- IC TRANS PNP 50V 5A SOT 89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2A, 2V · Мощность макcимальная: 1.4В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2STF1550
- 2stf1550
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN 50V 5A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 2A, 2V · Мощность макcимальная: 1.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2STC5949
- 2stc5949
- STMicroelectronics
- TRANS NPN HP BIPO 250V TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 17A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2STC5948
- 2stc5948
- STMicroelectronics
- TRANS NPN HP BIPO 250V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 17A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 200В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2STC4467
- 2stc4467
- STMicroelectronics
- TRANS NPN HP BIPO 120V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A · Ток коллектора (макс): 8A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 80В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2STC2510
- 2stc2510
- STMicroelectronics
- TRANS NPN HP BIPO 100V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 12A · Ток коллектора (макс): 25A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 12A, 4V · Мощность макcимальная: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2STA2510
- 2sta2510
- STMicroelectronics
- TRANS PNP HP BIPO 100V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 12A · Ток коллектора (макс): 25A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 12A, 4V · Мощность макcимальная: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2STA1694
- 2sta1694
- STMicroelectronics
- TRANS PNP HP BIPO 120V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A · Ток коллектора (макс): 8A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 80В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SD2621G0L
- 2sd2621g0l
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 100VCEO 20MA SSSMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК