Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
2SC5948-O(Q)
- 2sc5948.o.q
- Toshiba
- TRANSISTOR NPN 200V 12A TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 12A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 200В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5946G0L
- 2sc5946g0l
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 100mW · Модуляция частот: 1.6GHz · Тип транзистора: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5846G0L
- 2sc5846g0l
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5819(TE12L,F)
- 2sc5819.te12l.f
- Toshiba
- TRANSISTOR NPN 20V 1.5A SC-62 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 150mA, 2V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5810(TE12L,F)
- 2sc5810.te12l.f
- Toshiba
- TRANSISTOR NPN 50V 1A SC-62 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5784(TE85L,F)
- 2sc5784.te85l.f
- Toshiba
- TRANSISTOR NPN 20V 1.5A TSM Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5755(TE85L,F)
- 2sc5755.te85l.f
- Toshiba
- TRANSISTOR NPN 10V 2A TSM Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 12mA, 600mA · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 200mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5712(TE12L,F)
- 2sc5712.te12l.f
- Toshiba
- TRANSISTOR NPN 50V 3A SC-62 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V · Мощность макcимальная: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5439(F)
- 2sc5439.f
- Toshiba
- TRANS NPN 450V 8A SC-67 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 640mA, 3.2A · Ток коллектора (макс): 8A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 2Вт · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5354-1(F)
- 2sc5354.1.f
- Toshiba
- TRANSISTOR NPN 800V 5A TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 800В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V · Мощность макcимальная: 100Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5200RTU
- 2sc5200rtu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 230V 15A TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5200OTU
- 2sc5200otu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 230V 15A TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5174(TP,Q)
- 2sc5174.tp.q
- Toshiba
- TRANSISTOR NPN 230V 1A TPL Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5171(Q,M)
- 2sc5171.q.m
- Toshiba
- TRANS NPN 180V 2A 2-10R1A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 180V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 2Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4690-O(F)
- 2sc4690.o.f
- Toshiba
- TRANSISTOR NPN 140V 10A TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 700mA, 7A · Ток коллектора (макс): 10A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 80Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4409(TE12L,F)
- 2sc4409.te12l.f
- Toshiba
- TRANS NPN 50V 2A SC-62 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 500мВт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4271E
- 2sc4271e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS NPN 20V 300MA TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 300mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC3935GQL
- 2sc3935gql
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 10VCEO 50MA SMINI-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC3601E
- 2sc3601e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS NPN 200V 150MA TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC3503CSTU
- 2sc3503cstu
- Fairchild Semiconductor
- TRANS NPN 300V 100MA TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК