Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
2SA2097(TE16L1,NQ)
- 2sa2097.te16l1.nq
- Toshiba
- TRANSISTOR PNP 50V 5A SC-62 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA2078G0L
- 2sa2078g0l
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP 50VCEO 100MA SSSMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA2070(TE12L,F)
- 2sa2070.te12l.f
- Toshiba
- TRANSISTOR PNP 50V 1A SC-62 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA2069(TE12L,F)
- 2sa2069.te12l.f
- Toshiba
- TRANSISTOR PNP 20V 1.5A SC-62 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 17mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 150mA, 2V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA2060(TE12L,F)
- 2sa2060.te12l.f
- Toshiba
- TRANSISTOR PNP 50V 2A SC-62 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V · Мощность макcимальная: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA2056(TE85L,F)
- 2sa2056.te85l.f
- Toshiba
- TRANSISTOR PNP 50V 2A TSM Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V · Мощность макcимальная: 625
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1972(TE6,F,M)
- 2sa1972.te6.f.m
- Toshiba
- TRANSISTOR PNP 400V 0.5A LSTM Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1930(Q,M)
- 2sa1930.q.m
- Toshiba
- TRANS PNP 180V 2A 2-10R1A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 180V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 2Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1887(F)
- 2sa1887.f
- Toshiba
- TRANS PNP 50V 10A SC-67 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 5A · Ток коллектора (макс): 10A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V · Мощность макcимальная: 2Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1791GRL
- 2sa1791grl
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1723
- 2sa1723
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS PNP 20V 300MA TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 300mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 50mA, 5V · Мощность макcимальная: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1681(TE12L,F)
- 2sa1681.te12l.f
- Toshiba
- TRANS PNP 50V 2A SC-62 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 500мВт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1680(TE6,F,M)
- 2sa1680.te6.f.m
- Toshiba
- TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1483-Y(F)
- 2sa1483.y.f
- Toshiba
- TRANSISTOR PNP 45V 0.2A SC-62 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1407E
- 2sa1407e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS PNP 200V 150MA TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1244-Y(Q)
- 2sa1244.y.q
- Toshiba
- TRANS PNP 50V 5A 2-7B1A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V · Мощность макcимальная: 1Вт · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1242-Y(Q)
- 2sa1242.y.q
- Toshiba
- TRANS PNP 20V 5A 2-7B1A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 1Вт · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1225-Y(Q)
- 2sa1225.y.q
- Toshiba
- TRANSISTOR PNP 160V 1.5A PW-MOLD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1201-Y(TE12L,CF
- 2sa1201.y.te12l.cf
- Toshiba
- TRANSISTOR PNP 120V 0.8A SC-62 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1091-R(TPE2,F)
- 2sa1091.r.tpe2.f
- Toshiba
- TRANSISTOR PNP 300V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК